Titlebook: Ion Implantation in Semiconductors; Proceedings of the I Ingolf Ruge (Professor an der Technischen Universi Conference proceedings 1971 Spr

显示全部楼层 · 发表于 2025-3-25 08:18:08

A New Method for Boron Doping of Silicon by Implantation of BF2-Moleculeserature BF. implantation the annealing data indicate that an amorphous layer was formed; the sheet resistivity after 650°C anneal is a factor of 10 lower than for an equivalent energy boron implant and the samples are nearly completely annealed. For doses of ⩽10. cm. there is no marked difference in

显示全部楼层 · 发表于 2025-3-25 12:24:57

显示全部楼层 · 发表于 2025-3-25 17:36:53

显示全部楼层 · 发表于 2025-3-25 23:50:54

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978-3-642-80662-9Springer-Verlag, Berlin · Heidelberg 1971

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