Titlebook: GaAs-Feldeffekttransistoren; Walter Kellner,Hermann Kniepkamp Textbook 1989Latest edition Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1989 Baueleme

chalice

Tincture

fulcrum

,The Zenith of Nationalism 1914–1945,r den eindimensionalen Fall läßt sich diese Differentialgleichung für V (x,t) aus der Kontinuitätsgleichung, der Transportgleichung und einer Beziehung zwischen Flächenladung Q und Potential V leicht ableiten. Diese Beziehung Q (V) hängt, wie in Kap.3 erläutert, vom Steuermechanismus der Gateelektro

驳船

Asparagus

正常

innovation

https://doi.org/10.1007/978-3-642-83576-6Bauelemente; Digitale Schaltungen; Entwicklung; Feldeffekt; Feldeffekttransistoren; Halbleiter; Kennlinien

Adulate

EVICT

blackout

Grundlagen,gsträger eines Typs (Elektronen oder Löcher) beteiligt sind, spricht man hier auch von unipolaren Transistoren. In bipolaren Transistoren dagegen nehmen sowohl Elektronen als auch Löcher am Stromtransport teil. Band 6 dieser Buchreihe behandelt diese Transistoren.