Titlebook: GaAs-Feldeffekttransistoren; Walter Kellner,Hermann Kniepkamp Textbook 1989Latest edition Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1989 Baueleme

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Theorie des Ladungstransports,ET, wenn man die entsprechenden Materialparameter (Beweglichkeit, Ladungsträgerkonzentration, Sättigungsgeschwindigkeit) einsetzt. Geht man von der Tatsache aus, daß ein FET mit n-leitendem Kanal eine lineare I.-V.-Kennlinie im Bereich kleiner Drainspannung besitzt, so gilt für den Kanalwiderstand.D

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GaAs-MESFET,r den eindimensionalen Fall läßt sich diese Differentialgleichung für V (x,t) aus der Kontinuitätsgleichung, der Transportgleichung und einer Beziehung zwischen Flächenladung Q und Potential V leicht ableiten. Diese Beziehung Q (V) hängt, wie in Kap.3 erläutert, vom Steuermechanismus der Gateelektro

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,Climate Change Impact on Tourism-Based Livelihood and Related Youth Migration—A Case Study for Nain relied on tourism related livelihood options like boating, water sports, paragliding, and other aquatic sports activities for their daily earnings. Another relevant change observed in the last decade as per the survey and interview done is the migration of youth population to nearby state, especial

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