找回密码
 To register

QQ登录

只需一步,快速开始

扫一扫,访问微社区

Titlebook: GaAs-Feldeffekttransistoren; Walter Kellner,Hermann Kniepkamp Textbook 1989Latest edition Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1989 Baueleme

[复制链接]
查看: 38407|回复: 41
发表于 2025-3-21 16:56:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren
编辑Walter Kellner,Hermann Kniepkamp
视频video
丛书名称Halbleiter-Elektronik
图书封面Titlebook: GaAs-Feldeffekttransistoren;  Walter Kellner,Hermann Kniepkamp Textbook 1989Latest edition Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1989 Baueleme
描述.Aus den Besprechungen:. "...Das Buch wendet sich an Ingenieure, Naturwissenschaftler und Studenten, die sich in die Herstellungstechnik und Eigenschaften dieser neuen Bauelemente einarbeiten wollen. Auf Grund der hohen Bedeutung dieser Technik wurde ihr ein eigener Band in der bekannten und bereits an dieser Stelle diskutierten Reihe Halbleiter-Elektronik gewidmet. Vorausgesetzt wird die Kenntnis der Grundlagen der Halbleiter-Elektronik. Die Verfasser sind kompetente Fachleute aus der zentralen Forschung und Entwicklung der Siemens AG München ... Besonders wertvoll ist ein umfangreiches, nach den Kapiteln gegliedertes Literaturverzeichnis, das eine breite Übersicht über das Quellenmaterial und Zusatzliteratur gibt." .Elektropraktiker#1. "...Nicht ohne Erfolg haben sich die beiden Autoren die Mühe gegeben, ein Buch zu schreiben, welches sowohl für "alte Hasen" als auch für Studenten geeignet ist. So können z.B. diejenigen, welche über ausreichende Grundlagenkenntnisse verfügen, die zwei ersten Kapitel überspringen, während angehende Wissenschaftler und Ingenieure gerade hier interessante und nützliche Denkanstöße finden werden..." .Elektronik#2.
出版日期Textbook 1989Latest edition
关键词Bauelemente; Digitale Schaltungen; Entwicklung; Feldeffekt; Feldeffekttransistoren; Halbleiter; Kennlinien
版次2
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-642-83576-6
isbn_softcover978-3-540-50193-0
isbn_ebook978-3-642-83576-6Series ISSN 0172-5882
issn_series 0172-5882
copyrightSpringer-Verlag Berlin, Heidelberg 1989
The information of publication is updating

书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren影响因子(影响力)




书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren影响因子(影响力)学科排名




书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren网络公开度




书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren网络公开度学科排名




书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren被引频次




书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren被引频次学科排名




书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren年度引用




书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren年度引用学科排名




书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren读者反馈




书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren读者反馈学科排名




单选投票, 共有 1 人参与投票
 

0票 0.00%

Perfect with Aesthetics

 

0票 0.00%

Better Implies Difficulty

 

0票 0.00%

Good and Satisfactory

 

1票 100.00%

Adverse Performance

 

0票 0.00%

Disdainful Garbage

您所在的用户组没有投票权限
发表于 2025-3-21 20:33:04 | 显示全部楼层
https://doi.org/10.1007/978-1-349-17524-6inen kurzen überblick über den bis jetzt erreichten Stand (1988) bei analogen und digitalen Schaltungen geben. Ausführliche Informationen über GaAs-IS sowie über neueste Entwicklungen (optoelektronische integrierte Schaltungen, Schaltungen auf anderen III-V-Halbleitern als GaAs oder auf Schichtfolgen) sind z.B. in Tagungsbänden zu finden:
发表于 2025-3-22 01:23:16 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 07:14:23 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 12:03:29 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 14:51:50 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 19:46:37 | 显示全部楼层
Einleitung,Dieser Band der Reihe “Halbleiter-Elektronik” befaßt sich mit Hochfrequenz-Feldeffekttransistoren, wobei der GaAs-MESFET (.etal-.emiconductor-.ield-.ffect-.ransistor) im Mittelpunkt steht.
发表于 2025-3-22 22:02:06 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-23 03:38:19 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-23 09:09:32 | 显示全部楼层
GaAs-Feldeffekttransistoren978-3-642-83576-6Series ISSN 0172-5882
 关于派博传思  派博传思旗下网站  友情链接
派博传思介绍 公司地理位置 论文服务流程 影响因子官网 SITEMAP 大讲堂 北京大学 Oxford Uni. Harvard Uni.
发展历史沿革 期刊点评 投稿经验总结 SCIENCEGARD IMPACTFACTOR 派博系数 清华大学 Yale Uni. Stanford Uni.
|Archiver|手机版|小黑屋| 派博传思国际 ( 京公网安备110108008328) GMT+8, 2025-5-24 20:04
Copyright © 2001-2015 派博传思   京公网安备110108008328 版权所有 All rights reserved
快速回复 返回顶部 返回列表