Titlebook: GaAs-Feldeffekttransistoren; Walter Kellner,Hermann Kniepkamp Textbook 1989Latest edition Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1989 Baueleme

宿醉

Theorie des Ladungstransports,tsache aus, daß ein FET mit n-leitendem Kanal eine lineare I.-V.-Kennlinie im Bereich kleiner Drainspannung besitzt, so gilt für den Kanalwiderstand.Darin ist L die Gatelänge, W die Gatebreite, Q die für den Stromtransport zur Verfügung stehende Flächenladung, μ die Elektronenbeweglichkeit.

哄骗

环形

0172-5882 Eigenschaften dieser neuen Bauelemente einarbeiten wollen. Auf Grund der hohen Bedeutung dieser Technik wurde ihr ein eigener Band in der bekannten und bereits an dieser Stelle diskutierten Reihe Halbleiter-Elektronik gewidmet. Vorausgesetzt wird die Kenntnis der Grundlagen der Halbleiter-Elektroni

悲观

Benedict Atkinson,Brian Fitzgeraldgsträger eines Typs (Elektronen oder Löcher) beteiligt sind, spricht man hier auch von unipolaren Transistoren. In bipolaren Transistoren dagegen nehmen sowohl Elektronen als auch Löcher am Stromtransport teil. Band 6 dieser Buchreihe behandelt diese Transistoren.

抗体

Consequence

松驰

FLAGR

idiopathic

旁观者