Titlebook: Ionenimplantation; Heiner Ryssel,Ingolf Ruge Book 1978 B. G. Teubner, Stuttgart 1978 Aluminium.Dotierung.Energie.Halbleiter.Halbleiterbaue

integral

er ecological conservation in Idukki District, Kerala, India. Western Ghats has been conferred by UNESCO with ‘World Heritage Status’ and it is one among the eight ‘biodiversity hotspots’ in the world. Idukki District, a part of Western Ghats, the major population here is of migrant farmers from low

刺穿

anthropologist

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congenial

Fester

,Probleme bei der Implantation in reale Festkörper,unkt bei Halbleitern liegt und deshalb nur die Implantation in Kristalle betrachtet wird. Die Implantation in amorphe oder polykristalline Festkörper wird nur dann gestreift, wenn bemerkenswerte Unterschiede auftreten.

卜闻

Ionenimplantationsapparaturen,20 keV und 300 keV, die Strahlstromstärken liegen zwischen einigen µA und mehreren mA. Die Gründe für die Beschränkung auf einige hundert keV sind die wachsenden Kosten der Apparaturen und die Komplexität der Ionenerzeugung und -analyse. Für spezielle Anwendungen oberhalb 300 keV stehen für die Kernphysik entwickelte Beschleuniger zur Verfügung.

引起痛苦

,Meßmethoden zur Untersuchung ionenimplantierter Schichten,nschaften fast immer eine Anzahl unerwünschter Effekte auftreten, ist eine sorgfältige meßtechnische Untersuchung der implantierten Schichten notwendig. Im Fall der Dotierung von Halbleitern betrifft dies vor allem den Einfluß von Strahlenschäden und die elektrische Aktivierung der implantierten Ionen.

REP

Bauelemente,r typischer Beispiele die Vorzüge der Implantation aufzuzeigen und neue Anwendungen anzuregen. Die verschiedenen Eigenschaften der Implantation kommen dabei unterschiedlich zum Tragen. Die wichtigsten Vorzüge für Bauelementeigenschaften sind:

Communal

吹牛者

Anhang,hkeiten und Reichweiten von Fremdatomen sowie Dampfdrucktabellen angegeben. Außerdem ist eine Tabelle der komplementären Fehlerfunktion und die Häufigkeit der Isotope der einzelnen Elemente dargestellt.