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Titlebook: Ionenimplantation; Heiner Ryssel,Ingolf Ruge Book 1978 B. G. Teubner, Stuttgart 1978 Aluminium.Dotierung.Energie.Halbleiter.Halbleiterbaue

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查看: 34688|回复: 40
发表于 2025-3-21 18:52:32 | 显示全部楼层 |阅读模式
书目名称Ionenimplantation
编辑Heiner Ryssel,Ingolf Ruge
视频videohttp://file.papertrans.cn/476/475204/475204.mp4
图书封面Titlebook: Ionenimplantation;  Heiner Ryssel,Ingolf Ruge Book 1978 B. G. Teubner, Stuttgart 1978 Aluminium.Dotierung.Energie.Halbleiter.Halbleiterbaue
描述In den letzten Jahren erschienen bereits mehrere Bücher zum Thema Ionenimplanta­ tion, die sich fast ausschließlich an auf dem Gebiet der Ionenimplantation tätige Wissenschaftler wenden und deshalb der Theorie einen sehr breiten Raum einräumen. Im Gegensatz hierzu wendet sich das vorliegende Werk weniger an den Implanta­ tionsfachmann, sondern mehr an Forscher und Entwickler in Industrie, F or­ schungslaboratorien und Hochschulen, die an der Ionenimplantation als neuem Hilfsmittel zur Veränderung von Materialeigenschaften interessiert sind und wissen wollen, ob die Ionenimplantation für ihr Problem anwendbar ist. Bei einer solchen Ausrichtung muß deshalb nach unserer Meinung neben einem kurzen Abriß der theoretischen Grundlagen vor allem die Behandlung von Problemen bei der Anwendung der Implantation im Vordergrund der Darstellung stehen, wovon hier zum Beispiel genannt seien die elektrische Aktivierung implantierter Ionen, Diffusionseffekte sowie die Diskussion der hauptsächlich verwendeten Meß­ methoden zur Untersuchung implantierter Schichten, die apparativen Anforderungen an Beschleunigungssysteme und natürlich zahlreiche Beispiele zur Anwendung der Ionenimplantation. Die Schwe
出版日期Book 1978
关键词Aluminium; Dotierung; Energie; Halbleiter; Halbleiterbauelement; Industrie; Reaktor; Systeme; Verfahren; Werk
版次1
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-663-05668-3
isbn_softcover978-3-519-03206-9
isbn_ebook978-3-663-05668-3
copyrightB. G. Teubner, Stuttgart 1978
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书目名称Ionenimplantation影响因子(影响力)




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发表于 2025-3-21 20:36:37 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 01:12:57 | 显示全部楼层
,Probleme bei der Implantation in reale Festkörper,unkt bei Halbleitern liegt und deshalb nur die Implantation in Kristalle betrachtet wird. Die Implantation in amorphe oder polykristalline Festkörper wird nur dann gestreift, wenn bemerkenswerte Unterschiede auftreten.
发表于 2025-3-22 06:02:05 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 12:32:44 | 显示全部楼层
,Meßmethoden zur Untersuchung ionenimplantierter Schichten,nschaften fast immer eine Anzahl unerwünschter Effekte auftreten, ist eine sorgfältige meßtechnische Untersuchung der implantierten Schichten notwendig. Im Fall der Dotierung von Halbleitern betrifft dies vor allem den Einfluß von Strahlenschäden und die elektrische Aktivierung der implantierten Ion
发表于 2025-3-22 15:41:42 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 19:40:01 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 23:52:55 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-23 05:22:53 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-23 09:27:42 | 显示全部楼层
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