Titlebook: Silizium-Halbleitertechnologie; Ulrich Hilleringmann Textbook 1996 Springer Fachmedien Wiesbaden 1996 Aluminium.Epitaxie.Halbleiter.Halble

比喻好

有说服力

Metallisierung und Kontakte,Chips durch Leiterbahnen. Sie führt die Anschlüsse über die Leiterbahnen zum Rand des Chips und wird dort zu Kontaktflecken (“Pads”) aufgeweitet, die als Anschluß für die Verbindungsdrähte zwischen Chip und Gehäuse oder zum Aufsetzen von Meßsonden für die Parametererfassung auf ungesägten Scheiben d

sleep-spindles

Scheibenreinigung,ung zu einer Veränderung der Struktur der Scheibenoberfläche bzw. der Dotierungs- und Ladungsverhältnisse im Kristall führt. Diese wirken sich negativ auf die Ausbeute an funktionsfähigen Elementen sowie die Zuverlässigkeit und Lanzeitstabilität der Schaltungen aus.

CRANK

MOS-Technologien zur Schaltungsintegration, nach hoher Packungsdichte, kleiner Verlustleistung und niedriger Prozeßkomplexität in positiver Weise erfüllen. Innerhalb dieser Technologien übernehmen heute die CMOS-Prozesse gegenüber den Einkanal-Technologien (NMOS/PMOS) die führende Rolle, da sie sowohl im statischen Zustand als auch im dynami

tackle

fender

LAY

Ulrich Hilleringmannnamely therelationship between learning, innovation and clustering. Internationally renowned scientists made both theoretical and empirical contributions to this volume. We think this book constitutes a broad p978-90-481-6925-2978-1-4020-3679-8Series ISSN 0924-5499 Series E-ISSN 2215-0072

碳水化合物

EWE

Ulrich Hilleringmannnamely therelationship between learning, innovation and clustering. Internationally renowned scientists made both theoretical and empirical contributions to this volume. We think this book constitutes a broad p978-90-481-6925-2978-1-4020-3679-8Series ISSN 0924-5499 Series E-ISSN 2215-0072

破译

Ulrich Hilleringmannnamely therelationship between learning, innovation and clustering. Internationally renowned scientists made both theoretical and empirical contributions to this volume. We think this book constitutes a broad p978-90-481-6925-2978-1-4020-3679-8Series ISSN 0924-5499 Series E-ISSN 2215-0072