Titlebook: Silizium-Halbleitertechnologie; Ulrich Hilleringmann Textbook 1996 Springer Fachmedien Wiesbaden 1996 Aluminium.Epitaxie.Halbleiter.Halble

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Einleitung,hip — demonstriert die Leistungsfähigkeit der Halbleitertechnologie in eindrucksvoller Weise. Strukturgrößen von 350 nm Weite, die noch vor wenigen Jahren mit optischer Lithografietechnik als unerreichbar galten, werden zur Zeit in der Produktion eingesetzt. Ein Ende der Miniaturisierung ist nicht absehbar.

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Metallisierung und Kontakte,Chips durch Leiterbahnen. Sie führt die Anschlüsse über die Leiterbahnen zum Rand des Chips und wird dort zu Kontaktflecken (“Pads”) aufgeweitet, die als Anschluß für die Verbindungsdrähte zwischen Chip und Gehäuse oder zum Aufsetzen von Meßsonden für die Parametererfassung auf ungesägten Scheiben dienen.

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Overview: 978-3-519-00149-2978-3-663-05853-3

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Oxidation des dotierten Siliziums,Bei der Integration von Halbleiterschaltungen werden Oxidschichten sowohl im Herstellungsprozeß als auch zur Funktion der Schaltung benötigt. Der jeweiligen Anforderung entsprechend sind unterschiedliche Verfahren zum Aufbringen des Oxides auf die Siliziumscheibe notwendig.

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Bipolar-Technologie,Die Bipolar-Technologie zeichnet sich allgemein durch die folgenden typischen Merkmale aus:

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