Titlebook: Silizium-Halbleitertechnologie; Ulrich Hilleringmann Textbook 20023rd edition Springer Fachmedien Wiesbaden 2002 Bauelement.Bauelemente.Ch

卜闻

Ulrich Hilleringmanneducation in any environment, whether formal or informal, in which it takes place.Chapters 3, 4, 6 and 18 are available open access under a Creative Commons Attribution 4.0 International License via link.springer.com..978-981-19-0636-7978-981-19-0634-3Series ISSN 1573-4528 Series E-ISSN 2214-0069

Handedness

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niken für integrierte Schaltungen. Die Übungsaufgaben sollen zur Überprüfung des Verständnisses dienen und gleichzeitig dazu beitragen, die Größenordnungen der verwendeten Parameter abschätzen zu können. Ergänzend zu den grundlegenden Verfahren der Mikroelektronik sind wichtige weiterführende Inte978-3-322-94119-0

Latency

Einleitung,nstriert die Leistungsfähigkeit der Halbleitertechnologie in eindrucksvoller Weise. Strukturgrößen von 120 nm Weite, die noch vor wenigen Jahren mit optischer Lithografietechnik als unerreichbar galten, werden zurzeit in der Produktion eingesetzt. Ein Ende der Miniaturisierung ist bislang nicht absehbar /1/.

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Dedication

Oxidation des Siliziums,h als Hilfsschicht zur Maskierung während der Herstellung der integrierten Schaltungen eingesetzt. Der jeweiligen Anforderung entsprechend sind Verfahren zum Aufbringen von Oxiden auf die Siliziumscheibe entwickelt worden, die sich in Wachstum und Qualität der entstehenden Schicht unterscheiden.

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