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Titlebook: Silizium-Halbleitertechnologie; Ulrich Hilleringmann Textbook 20023rd edition Springer Fachmedien Wiesbaden 2002 Bauelement.Bauelemente.Ch

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发表于 2025-3-21 18:07:42 | 显示全部楼层 |阅读模式
书目名称Silizium-Halbleitertechnologie
编辑Ulrich Hilleringmann
视频videohttp://file.papertrans.cn/868/867362/867362.mp4
概述Umfassende Darstellung der Fertigungsverfahren und Technologien bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltungen..Kokurrenzlos günstig.
丛书名称Teubner Studienbücher Technik
图书封面Titlebook: Silizium-Halbleitertechnologie;  Ulrich Hilleringmann Textbook 20023rd edition Springer Fachmedien Wiesbaden 2002 Bauelement.Bauelemente.Ch
描述Das vorliegende Studienskript "Silizium-Halbleitertechnologie" ist aus der Vorlesung "Halbleitertechnologie" entstanden, die seit dem Winter­ semester 1989/90 an der Universität Dortmund und seit 1999 auch an der Universität Paderbom gelesen wird. Um die rasante Entwicklung der Prozesstechnik berücksichtigen zu können, ist der Inhalt der inzwischen auf zwei Semester ausgedehnten Vorlesung um fortschrittliche Integra­ tionstechniken erweitert worden. Ziel dieses Buches ist es, den Studenten der Elektrotechnik, Informatik, Physik, aber auch den Schaltungstechnikern und den Ingenieuren in der Prozesstechnik sowie den Auszubildenden in den Zweigen der Mikro­ technologie, die Realisierung und den Aufbau integrierter Schaltungen zu veranschaulichen. Es umfasst die Kristallherstellung, die verschiedenen Prozessschritte der Planartechnik einschließlich der CMOS-Prozess­ führung und die Montagetechniken für integrierte Schaltungen. Die Übungsaufgaben sollen zur Überprüfung des Verständnisses dienen und gleichzeitig dazu beitragen, die Größenordnungen der verwendeten Parameter abschätzen zu können. Ergänzend zu den grundlegenden Verfahren der Mikroelektronik sind wichtige weiterführende Inte
出版日期Textbook 20023rd edition
关键词Bauelement; Bauelemente; Chip; Chipherstellung; Elektronik; Elektrotechnik; Halbleiter; Halbleitertechnolog
版次3
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-322-94119-0
isbn_ebook978-3-322-94119-0
copyrightSpringer Fachmedien Wiesbaden 2002
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书目名称Silizium-Halbleitertechnologie影响因子(影响力)




书目名称Silizium-Halbleitertechnologie影响因子(影响力)学科排名




书目名称Silizium-Halbleitertechnologie网络公开度




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书目名称Silizium-Halbleitertechnologie年度引用




书目名称Silizium-Halbleitertechnologie年度引用学科排名




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发表于 2025-3-21 22:23:07 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 02:14:10 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 07:43:43 | 显示全部楼层
MOS-Technologien zur Schaltungsintegration, Zustand als auch im dynamischen Betrieb die geringste Leistungsaufnahme auf. Trotzdem werden hier zur Verdeutlichung der gewachsenen Komplexität der Integrationstechniken zunächst die Einkanal-MOS-Technologien erläutert:
发表于 2025-3-22 10:56:55 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 16:43:40 | 显示全部楼层
Einleitung,nstriert die Leistungsfähigkeit der Halbleitertechnologie in eindrucksvoller Weise. Strukturgrößen von 120 nm Weite, die noch vor wenigen Jahren mit optischer Lithografietechnik als unerreichbar galten, werden zurzeit in der Produktion eingesetzt. Ein Ende der Miniaturisierung ist bislang nicht abse
发表于 2025-3-22 21:07:24 | 显示全部楼层
Herstellung von Siliziumscheiben,eicherchips und Logikschaltungen sowie die anwendungsspezifischen Schaltkreise (ASIC) werden nahezu ausschließlich im Siliziumsubstrat hergestellt. Auch Leistungshalbleiter wie Thyristoren und ein großer Teil der Einzeltransistoren bzw. Dioden sind aus diesem Element gefertigt.
发表于 2025-3-22 22:37:42 | 显示全部楼层
Oxidation des Siliziums,h als Hilfsschicht zur Maskierung während der Herstellung der integrierten Schaltungen eingesetzt. Der jeweiligen Anforderung entsprechend sind Verfahren zum Aufbringen von Oxiden auf die Siliziumscheibe entwickelt worden, die sich in Wachstum und Qualität der entstehenden Schicht unterscheiden.
发表于 2025-3-23 03:06:05 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-23 07:29:12 | 显示全部楼层
,Ätztechnik,n jeweiligen Metallsiliziden geätzt werden. Die Ätztechnik dient dabei zum ganzflächigen Abtragen eines Materials oder zum Übertragen der Struktur des lithografisch erzeugten Lackmusters in die darunter liegende Schicht. Für diese Aufgabe bieten sich einerseits nasschemische Ätzlösungen an, zum ande
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