Titlebook: Entwicklung und Optimierung von Prozeßkomponenten zur ionenunterstützten Abscheidung bei PVD-Verfahr; Walter Olbrich Book 1994 Springer-Ve

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书目名称Entwicklung und Optimierung von Prozeßkomponenten zur ionenunterstützten Abscheidung bei PVD-Verfahr影响因子(影响力)




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书目名称Entwicklung und Optimierung von Prozeßkomponenten zur ionenunterstützten Abscheidung bei PVD-Verfahr网络公开度




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书目名称Entwicklung und Optimierung von Prozeßkomponenten zur ionenunterstützten Abscheidung bei PVD-Verfahr读者反馈




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类似思想

Entwicklungsbedarf in der PVD-Technologie,er Stähle, die thermisch nur niedrig belastet werden dürfen, beschichtet werden, so ist eine wesentliche Aufgabe in der Prozeß-und Schichtentwicklung die Ausführung der Beschichtung bei niederen Temperaturen (< 200°C). Daneben sind Fragen der gleichmäßigen 3D-Beschichtung und des Übertragens der Pro

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Aufgabenstellung,in einem PVD-Prozeß durch einen energieerhöhten Ionenbeschuß an der Substratoberfläche zu unterstützen. Dabei soll die Ener-gie der auftreffenden Teilchen weitgehend unabhängig von anderen Prozeßgrößen und Prozeß-parametern eingestellt werden können. Der Beschuß soll richtungsunabhängig und allseiti

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,Wirkungen der überlagert gepulsten Biasspannung auf die Prozeßbedingungen,abhängig gemacht. Dieser Parame-ter E. ist direkt proportional zur durchschnittlichen Energie und zur Stromdichte der auftref-fenden Ionen bzw. zur Biasspannung U. und zur Biasstromstärke I.:.Beschichtungsversuche mit der überlagert gepulsten Biasspannung sollen zeigen, daß die zur Ausbildung der Zo

安心地散步

Monotonous

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Palpitation

Ausblick,Schritt zu weiteren Anwen-dungen darstellen. Es wird erwartet, daß diese Technologie insbesondere bei Metallisierungen Verbesserungen der Schichtsysteme schaffen und neue Einsatzmöglichkeiten zulassen wird. Das Verfahren wird momentan in mehreren Unternehmen erfolgreich getestet.

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拖债

Entwicklung und Optimierung von Prozeßkomponenten zur ionenunterstützten Abscheidung bei PVD-Verfahr978-3-642-47892-5