Titlebook: Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden; Bernd Höfflinger,Günter Zimmer,Heinz Ger

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书目名称Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden影响因子(影响力)




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让步

Digitalisierung der Finanzindustrien erforderlich, um die durch die Oxidladungen des Dickoxids an der Substratoberfläche entstehenden leitenden Inversionsschichten zu vermeiden. Ein Gitter von diffundierten Kontakten reduziert den Serienwiderstand der implantierten Schicht und ermöglicht kurze Schaltzeiten.

Abbreviate

Beschreibung der Teststrukturen,n erforderlich, um die durch die Oxidladungen des Dickoxids an der Substratoberfläche entstehenden leitenden Inversionsschichten zu vermeiden. Ein Gitter von diffundierten Kontakten reduziert den Serienwiderstand der implantierten Schicht und ermöglicht kurze Schaltzeiten.

大厅

火车车轮

火车车轮

https://doi.org/10.1007/978-3-662-65858-1 ultraviolettes Licht. Durch das Fotodiodenlayout mit Guard—Ring, Feldimplantation bei n-Kanal- und CMOS-Prozeß und einer den Guard-Ring überlappenden Metallisierung konnten geringe Sperrströme und Sperrspannungen bis zu 130 V erreicht werden.

febrile

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Lea Henkel,Annika Krug,Boris ZimmermannDer Einfluß des die lichtempfindliche Fläche der Fotodiode, also den Bereich des flachen pn-Übergangs, abdeckenden Oxids ist begründet durch dessen Wirkung als Antireflexionsschicht und durch die durch Vermeidung der durch hohe Oberflächenrekombinationsraten unempfindlichen Oberflächenschicht mittels Passivierung der Oberflächenzustände.

两栖动物