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Titlebook: Analysis and Simulation of Heterostructure Devices; Vassil Palankovski,Rüdiger Quay Book 2004 Springer-Verlag Wien 2004 HBTs.HEMTs.Heteroj

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楼主: 无力向前
发表于 2025-3-27 00:48:46 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-27 03:08:40 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-27 08:51:48 | 显示全部楼层
Book 2004puter-Aided Design (TCAD) methodologies are used extensively in development and production. As of 2003, III-V semiconductor HEMT and HBT micrometer and millimeter-wave integrated circuits (MICs and MMICs) are available on six-inch GaAs wafers. SiGe HBT circuits, as part of the CMOS technology on eig
发表于 2025-3-27 11:44:16 | 显示全部楼层
0179-0307 . As of 2003, III-V semiconductor HEMT and HBT micrometer and millimeter-wave integrated circuits (MICs and MMICs) are available on six-inch GaAs wafers. SiGe HBT circuits, as part of the CMOS technology on eig978-3-7091-7193-6978-3-7091-0560-3Series ISSN 0179-0307
发表于 2025-3-27 13:49:04 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-27 19:48:26 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-28 00:22:51 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-28 02:13:10 | 显示全部楼层
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