Titlebook: Verstärkertechnik; Dietmar Ehrhardt Book 1992 Friedr. Vieweg & Sohn Verlagsgesellschaft mbH, Braunschweig/Wiesbaden 1992 Entwurf.Handel.Ph

Pantry

HF-Verhalten von Feldeffekttransistoren,Laufzeit der Ladungsträger ist abhängig von ihrer Beweglichkeit. Daher sind N-Kanal-FETs im allgemeinen schneller als P-Kanal-FETs, da Elektronen im Silizium eine etwa 3 mal höhere Beweglichkeit besitzen als Löcher. Die Beweglichkeit der Elektronen beträgt etwa . und die der Löcher ca.

ARCH

,Feldeffekttransistor als Leistungsverstärker,e Ausnutzung der Chipfläche und die erreichbaren Daten angeht. Die Entwicklung der Power-FETs reicht daher vom a) konventionellen MOSFET über b) den lateralen, doppelt diffundierten MOSFET und c) den VMOS bis hin zu d) dem SIPMOS bzw. TMOS Transistor.

Engaged

avarice

Komparatoren,ngsspannung anliegt. Dabei ist der Verstärker übersteuert und folgt bei einem Wechsel der Eingangsspannung nur mit großer Zeitverzögerung (Slew-Rate-Problem). Abhilfe schafft der Einsatz eines speziell für Schalteranwendungen konzipierten Operationsverstärkers, des „Komparators“.

白杨

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雪上轻舟飞过

白杨

,Einführung,Am einfachsten definiert man ihn als Black-Box. Wenn nun die Leistung, die man dem Ausgang entnehmen kann, größer ist als die Leistung, die man dem Eingang zuführen muß, spricht man von einem ..

IDEAS

Bipolartransistoren,Man unterscheidet zwei Arten von Bipolartransistoren entsprechend der Schichtenfolge ihres Dotierungsprofils, nämlich NPN- und PNP-Transistoren. Der Übersichtlichkeit wegen wird die Wirkungsweise nur an Hand des NPN-Transistors erläutert. Für den PNP-Typ gilt das entsprechende mit den für diesen Transistor angepaßten Größen und Vorzeichen.

ATRIA

物种起源