Titlebook: Verstärkertechnik; Dietmar Ehrhardt Book 1992 Friedr. Vieweg & Sohn Verlagsgesellschaft mbH, Braunschweig/Wiesbaden 1992 Entwurf.Handel.Ph

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书目名称Verstärkertechnik影响因子(影响力)




书目名称Verstärkertechnik影响因子(影响力)学科排名




书目名称Verstärkertechnik网络公开度




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书目名称Verstärkertechnik年度引用




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书目名称Verstärkertechnik读者反馈




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nurture

Rauschen des Bipolartransistors,llung der Rauschzahl, die zum selben Ergebnis führt, ist das Verhältnis von Eingangs-Signalrauschabstand zu Ausgangs-Signalrauschabstand.Anstatt die Rauschleistung der Quelle mit einem Faktor zu versehen, kann man sie als thermisch rauschenden Widerstand mit erhöhter Temperatur ansehen.mit T. = Raumtemperatur (290 K).

形状

大猩猩

Rauschen des Bipolartransistors,h einen rauschfreien Vierpol ersetzt werden kann (bei gleicher Rauschausgangsleistung). Die Ausgangsrauschleistung eines Vierpols ist gegeben durch.mit.damit wird.wobei F. der Zusatzrauschfaktor ist. Die Rauschzahl wird auch im logarithmischen Maß angegeben, sie heißt dann ..Eine etwas andere Darste

一美元

沉积物

惰性女人

Lateraler PNP-, Substrat-PNP-Transistor,sind meist NPN-Transistoren, wegen der höheren Beweglichkeit ihrer Ladungsträger und der damit verbundenen höheren Grenzfrequenz und Stromverstärkung. PNP-Transistoren lassen sich in demselben Prozeß nicht so einfach herstellen. So fanden sich in den ersten analogen integrierten Schaltungen überhaup

Hiatus

培养

HF-Verhalten von Feldeffekttransistoren,Laufzeit der Ladungsträger ist abhängig von ihrer Beweglichkeit. Daher sind N-Kanal-FETs im allgemeinen schneller als P-Kanal-FETs, da Elektronen im Silizium eine etwa 3 mal höhere Beweglichkeit besitzen als Löcher. Die Beweglichkeit der Elektronen beträgt etwa . und die der Löcher ca.

可能性