找回密码
 To register

QQ登录

只需一步,快速开始

扫一扫,访问微社区

Titlebook: VLSI Design and Test; 26th International S Ambika Prasad Shah,Sudeb Dasgupta,Jaynarayan Tudu Conference proceedings 2022 The Editor(s) (if

[复制链接]
楼主: obdurate
发表于 2025-3-26 21:22:23 | 显示全部楼层
Arvind Bisht,Yogendra Pratap Pundir,Pankaj Kumar Pal: einer der Güterstände wurde zum ordentlichen gesetzlichen Güterstand erhoben und im Gesetz ausführlich geregelt; er sollte automatisch in jeder Ehe eintreten, wenn nicht besondere gesetzliche oder vertragliche Bestimmungen ihn ausschlossen. Daneben regelt das Gesetz aber noch einige andere Güterst
发表于 2025-3-27 04:52:02 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-27 08:27:47 | 显示全部楼层
Puneet Singh,Saroj Mondal,Krishnan S. Rengarajanuweilen nur in einem einzigen Satz behandelt, zugunsten der wirklich bedeutsamen Probleme. Immer aber ist zu jedem Fragenkreis die weiterführende Literatur, eingehender als im "Allgemeinen Teil des Bürgerlichen Rechts", zitiert. Ebensowenig fehlt der häufige Hinweis auf wichtige höchstrichterliche E
发表于 2025-3-27 13:32:19 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-27 14:29:40 | 显示全部楼层
Khushwant Sehra,Jeffin Shibu,Meena Mishra,Mridula Gupta,D. S. Rawal,Manoj Saxena
发表于 2025-3-27 20:56:30 | 显示全部楼层
Chanchal,Ajay Kumar Visvkarma,Hardhyan Sheoran,Amit Malik,Robert Laishram,Dipendra Singh Rawal,Manoj
发表于 2025-3-28 01:09:55 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-28 05:04:43 | 显示全部楼层
Anuj Srivastava,Nishant Kumar,Nihar Ranjan Mohapatra,Hari Shankar Gupta
发表于 2025-3-28 08:20:59 | 显示全部楼层
High Resolution Temperature Sensor Signal Processing ASIC for Cryo-Cooler ElectronicsIC front-end design to achieve high-temperature resolution for precise control of cryo-cooler. Designed temperature processing ASIC achieves .3 mK temperature resolution and consumes very low power around < 4 mW. The design has been carried out using 1.8 V SCL CMOS 180 nm technology.
发表于 2025-3-28 11:32:13 | 显示全部楼层
FEM Modeling of Thermal Aspect of Dielectric Inserted Under Source & Drain of 5 nm Nanosheetce and drain on lattice temperature was investigated using electrothermal simulation of single and double stack nanosheet transistors. The effects of dielectric insertion thickness under the source and drain on the substrate, as well as SNT channel temperature analyzed and its variation with width and extension length of SNT are explained.
 关于派博传思  派博传思旗下网站  友情链接
派博传思介绍 公司地理位置 论文服务流程 影响因子官网 吾爱论文网 大讲堂 北京大学 Oxford Uni. Harvard Uni.
发展历史沿革 期刊点评 投稿经验总结 SCIENCEGARD IMPACTFACTOR 派博系数 清华大学 Yale Uni. Stanford Uni.
QQ|Archiver|手机版|小黑屋| 派博传思国际 ( 京公网安备110108008328) GMT+8, 2025-8-5 07:53
Copyright © 2001-2015 派博传思   京公网安备110108008328 版权所有 All rights reserved
快速回复 返回顶部 返回列表