Titlebook: Untersuchungen über integrierte Kettenverstärker; Heinz Beneking,Jörg Naumann,Heinz Storck Book 1973 Springer Fachmedien Wiesbaden 1973 En

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covert

,Untersuchungen über integrierte Kettenverstärker, mit GHz-Feldeffekt-Transistoren realisieren lassen. Wie die Ergebnisse zeigen, läßt sich das Prinzip des vollintegrierten Verstärkers, bei dem sowohld die aktiven Elemente als auch die Verzögerugsleitungen auf Halbleitermaterial aufgebaut sind, verwirklichen. Wegen der Schwierigkeit, an vorbestimmt

用树皮

BINGE

,GaAs-MeSFET mit Streifenleitungsanschlüssen (11),rain durch die Raumladungszone eines Schottkykontaktes gesteuert (12). In Abb. 2 ist der schematische Aufbau zu sehen. Der Strom fließt vom Sourcekontakt durch die dünne n-leitende Epitaxieschicht zum Drainkontakt.

fringe

编辑才信任

,Rechnergestütztes Entwurfsverfahren (47),heit und Ein- und Ausgangskapazitäten. Hierbei werden die konzentrierten Filterketten mit der Wellengrößentheorie behandelt, und deren Anpassung (Grund-Halbglieder, ebnende Halbglieder und überbrückte T-Glieder) wird untersucht (2), (62) bis (70). Es wird versucht, den bei höheren Frequenzen starken

没有贫穷

Galactogogue

安慰

,Untersuchungen über integrierte Kettenverstärker,d die aktiven Elemente als auch die Verzögerugsleitungen auf Halbleitermaterial aufgebaut sind, verwirklichen. Wegen der Schwierigkeit, an vorbestimmten Orten des Substrates aktive Elemente mit vorgegebenen Eigenschaften erzeugen zu müssen, emfiehlt sich zur Zeit noch ein hybrider Aufbau.

未成熟