Titlebook: Untersuchung der Einflußlänge eines durch Kreisspant idealisierten Schiffskörpers bei der Fahrt durc; Wilhelm Sturtzel,Hermann Schmidt-Sti

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Wilhelm Sturtzel,Hermann Schmidt-Stiebitzn acceptors partially compensated by deep donors. In natural semiconducting diamond, in which the total impurity concentration is less than 1 ppm, there is a lot of fine structure in the acceptor absorption spectrum that is not fully understood, and the electrical conductivity is primarily associate

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Wilhelm Sturtzel,Hermann Schmidt-StiebitzRAM by Intel Corporation in 1972 [.]. The success of this memory device over its competitors was its simple and small cell design consisting of one transistor and one capacitor (1T-1C) per bit. A schematic diagram of a DRAM cell and array is shown in Figure 1. Data are stored in an array of capacito

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Wilhelm Sturtzel,Hermann Schmidt-Stiebitzial as high-efficiency photovoltaic materials in thin film form: GaAs, CdTe, InP, Zn.P., CdSe, Cu.Se, CuInSe., ZnIn.Se., and Cu.O. The interest in GaAs and CdTe dates back to the 1960s, but doubts about the adequate availability of these materials kept interest at a low level and confined to only a

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Wilhelm Sturtzel,Hermann Schmidt-Stiebitzarch on synthetic polymer and organic small molecules has gained a great deal of attention due to their potential applications in low cost, ultra-thin, and flexible products and are expected to have a revolutionary role in modern day life. Basically, organic semiconductors are imperative for a range

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