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Titlebook: Soziale Lage und Lebensstil; Eine Typologie Werner Georg Book 1998 Springer Fachmedien Wiesbaden 1998 Alltag.Bourdieu.Freizeit.Geschichte d

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楼主: 导弹
发表于 2025-3-25 03:32:27 | 显示全部楼层
Eine Theoriegeschichte der Soziologie von Lebensstilen,efinitorischen Rahmens ist es deshalb notwendig, die Anfänge und Verwendungszusammenhänge nachzuzeichnen, in denen dieser Begriff seit der Jahrhundertwende in der Soziologie benutzt wurde. Dabei wird zunächst auf drei „klassische” Lebensstilkonzepte eingegangen: Thorsten Veblen (1989) interessierte
发表于 2025-3-25 09:26:18 | 显示全部楼层
,Soziale Ungleichheit und Lebensstile — Versuch einer theoretischen Integration, Bourdieu spezifische, ungleichheitsrelevante Gruppen die Träger von Lebensstilen waren (die Mußeklasse bei Veblen, die Stände bei Weber und bei Bourdieu die nach Kapitalart und Kapitalvolumen differenzierten Klassen), befassen sich Simmel und Schulze stärker mit Modernisierungsund Individualisierun
发表于 2025-3-25 12:57:58 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-25 19:15:42 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-25 21:38:06 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-26 03:50:46 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-26 06:17:07 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-26 10:48:27 | 显示全部楼层
Diskussion,m Kern lassen sich hierbei zwei Argumentationslinien unterscheiden: Vertreter einer „klassischen“ Position (vgl. Mayer & Blossfeld 1990; Geissler 1990, 1992; Strasser 1987) argumentieren dahingehend, das Konzept sozialer Schichten bzw. Klassen beschreibe Ungleichheit nach wie vor in angemessener Wei
发表于 2025-3-26 14:14:27 | 显示全部楼层
ture. Therefore, most GaN-based layers are grown heteroepitaxially on sapphire or SiC substrates. In addition, much effort is devoted to the growth on silicon. For all heterosubstrates the large lattice mismatch leads to a high dislocation density of the order of 1010 cm-2 near the interface. In add
发表于 2025-3-26 19:18:25 | 显示全部楼层
Werner Georgture. Therefore, most GaN-based layers are grown heteroepitaxially on sapphire or SiC substrates. In addition, much effort is devoted to the growth on silicon. For all heterosubstrates the large lattice mismatch leads to a high dislocation density of the order of 1010 cm-2 near the interface. In add
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