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Titlebook: Silizium-Halbleitertechnologie; Grundlagen mikroelek Ulrich Hilleringmann Textbook 2023Latest edition Der/die Herausgeber bzw. der/die Auto

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发表于 2025-3-21 17:29:18 | 显示全部楼层 |阅读模式
书目名称Silizium-Halbleitertechnologie
副标题Grundlagen mikroelek
编辑Ulrich Hilleringmann
视频video
概述Umfassende Darstellung der Fertigungsverfahren bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltungen.Fertigungsverfahren und Technologien in der Mikroelektronik.Aktuelle Verfahren der mikroelektronische
图书封面Titlebook: Silizium-Halbleitertechnologie; Grundlagen mikroelek Ulrich Hilleringmann Textbook 2023Latest edition Der/die Herausgeber bzw. der/die Auto
描述Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert. Moderne 3D-Bauformen für Feldeffekttransistoren runden den Inhalt ab. .
出版日期Textbook 2023Latest edition
关键词Elektronik; Halbleitertechnik; Chip; Bipolar-Technologie; CMOS; Silizium; Bipolarschaltung; Dotierung; Oxida
版次8
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-658-42378-0
isbn_softcover978-3-658-42377-3
isbn_ebook978-3-658-42378-0
copyrightDer/die Herausgeber bzw. der/die Autor(en), exklusiv lizenziert an Springer Fachmedien Wiesbaden Gmb
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书目名称Silizium-Halbleitertechnologie影响因子(影响力)




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书目名称Silizium-Halbleitertechnologie网络公开度




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发表于 2025-3-21 21:13:42 | 显示全部楼层
Lithografie,fahren hinsichtlich ihrer Auflösung und Defektdichte vergleichend diskutiert und alternative Techniken gegenübergestellt. Linienweiten- und Justiergenauigkeitskontrolle sowie das Ablösen des Fotolackes runden das Kapitel ab.
发表于 2025-3-22 03:26:08 | 显示全部楼层
,Ätztechnik,h, wobei zwischen reaktivem Ionenätzen, Plasmaätzen und Ionenstrahlätzen unterschieden wird. Ätzprozesse für typische Materialien werden beispielhaft vorgestellt. Dabei sind Verfahren zur Endpunktdetektion für eine sichere Prozessführung unentbehrlich.
发表于 2025-3-22 06:01:57 | 显示全部楼层
Dotiertechniken,n. Die Anlagen zur Dotierung werden vorgestellt und speziell bei der Ionenimplantation im Detail besprochen. Eine Analyse parasitärer Effekte auf die resultierende Dotierstoffverteilung rundet das Kapitel ab.
发表于 2025-3-22 08:51:19 | 显示全部楼层
Depositionsverfahren,akuumabscheidung mit Plasmaanregung wächst die Bedeutung der Atomlagendeposition. Als physikalische Verfahren werden die Kathodenstrahlzerstäubung, das Aufdampfen und die Molekularstrahlepitaxie vorgestellt.
发表于 2025-3-22 13:37:09 | 显示全部楼层
Metallisierung und Kontakte,ührung von Kontaktschichten optimieren lässt. Es folgt die Vorstellung von Oberflächenplanarisierungen für die Mehrlagenverdrahtung, zudem werden die Zuverlässigkeit von Aluminium als Leiterbahn und die Kupfermetallisierung behandelt.
发表于 2025-3-22 20:29:22 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-23 00:32:50 | 显示全部楼层
Transistoren mit Nanometer-Abmessungen,unterliegen. Die Schwellenspannung muss folglich durch die Austrittsarbeit der Gate-Elektrode festgelegt werden. Alternative Bauformen wie der FINFET und der Gate-All-Around Transistor mit lateralem und vertikalem Kanal werden diskutiert.
发表于 2025-3-23 04:24:40 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-23 06:56:44 | 显示全部楼层
978-3-658-42377-3Der/die Herausgeber bzw. der/die Autor(en), exklusiv lizenziert an Springer Fachmedien Wiesbaden Gmb
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