Titlebook: Rauschen; Zweite, überarbeitet Rudolf Müller Textbook 1990Latest edition Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1990 Bauelemente.Dioden.Feldeff

用肘

Beschreibung des Rauschens im Zeitbereich,erten) Verstärkers. Diese Größe . (.) ist nicht reproduzierbar, d.h. ein anderer identisch aufgebauter Verstärker wird eine andere Zeitfunktion für die Ausgangsspannung abgeben, oder auch wiederholte Messungen am gleichen Verstärker ergeben jedesmal andere Zeitverläufe. Für eine Rauschgröße ist also eine Zeitfunktion nicht vorhersagbar.

dearth

Beschreibung des Rauschens im Frequenzbereich,es ein Maß für die gesamte im Rauschvorgang vorhandene Leistung ist, definiert man hier eine sog. spektrale Leistungsdichte .(.), also die „Leistung“ im Frequenzband der Breite 1 Hz bei der Frequenz ..

繁忙

,Rauschmeßtechnik, Abhängigkeit des Generatorwiderstandes bestimmt werden, um damit die Auswertung hinsichtlich anderer Kenngrößen zu ermöglichen. Allgemein wird man dabei versuchen, die Messung selbst möglichst ähnlich der Definition der entsprechenden Kenngrößen vorzunehmen.

Spangle

Dioden,hen wie in .-Dioden, d.h. Schrotrauschen ist der dominierende Effekt; die Verlustwiderstände rauschen thermisch. Bei tiefen Frequenzen kann das Generations-Rekombinations-Rauschen zu einem 1/.-Rauschen führen. Als erstes wird daher das Schrotrauschen behandelt.

MERIT

Bipolare Transistoren,hen wie in .-Dioden, d.h. Schrotrauschen ist der dominierende Effekt; die Verlustwiderstände rauschen thermisch. Bei tiefen Frequenzen kann das Generations-Rekombinations-Rauschen zu einem 1/.-Rauschen führen. Als erstes wird daher das Schrotrauschen behandelt.

镶嵌细工

Feldeffekttransistoren,Feldeffekttransistoren (FET) sind gesteuerte Widerstände (z.B. [11, 109]). Daher wird das thermische Rauschen dieser „Widerstände“, der Kanäle, eine dominierende Rolle spielen.

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978-3-540-51145-8Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1990