Titlebook: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen; Simulation mit PSPIC Peter Baumann Textbook 2024Latest edition Der/die Herausgeber bzw. der

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Peter BaumannStatische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen zurück gewinnen.Ergänzung zum Laborpraktikum Simulationswerkzeug für den Elektronikentwickler.Simulationswerkzeug für den Elektr

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Halbleiterdioden, Für die Extraktion der statischen Parameter, der Kapazitätskenngrößen und der Z-Spannung nebst Z-Strom wird das Programm MODEL EDITOR verwendet. Die Parameterextraktion zeigt die Rückgewinnung derjenigen Parameter, mit denen die im Programm PSPICE verwendeten Halbleiterdioden ursprünglich modellier

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Bipolartransistoren,age für die Ermittlung der Modellparameter sind das Großsignal- und Kleinsignalmodell des Transistors. Ausgewertet werden sowohl simulierte statische Kennlinien als auch die Frequenzabhängigkeit maximaler stabiler Leistungsverstärkungen..Besondere Untersuchungen auf der Basis von Streuparametern gel

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Sperrschicht-Feldeffekttransistoren,gnalmodell. Die Extraktion der Modellparameter wie Abschnürspannung, Drain-Source-Sättigungsstrom und Transkonduktanz erfolgt über die Auswertung von Kennlinien. Die Kapazitätsparameter gehen aus der Frequenzabhängigkeit der maximalen stabilen Leistungsverstärkung hervor.

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MOS-Feldeffekttransistoren,ng oder die Steilheit lassen sich aus der Übertragungskennlinie gewinnen. Dabei wird der auch der Einfluss der Bulk-Elektrode erfasst. Die Bulk-Drain- und Bulk-Source-Kapazitäten werden über die Frequenzabhängigkeit der maximalen stabilen Leistungsverstärkung ermittelt.

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Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor, folgen aus der Auswertung von Gleichstrom-Kennlinien. Die MOSFET-Kapazitäten können mit Messschaltungen bei der Frequenz von 1 MHz oder über die Auswertung der Frequenzabhängigkeit der maximalen stabilen Leistungsverstärkung in den drei Grundschaltungen extrahiert werden.

Hyperalgesia

,Operationsverstärker,nnlinien für den Differenz- und Gleichtaktbetrieb gewonnen. Demonstriert wird die Anwendung der Übertragungsfunktions-Analyse. Dargestellt werden Gleichstrom-Modelle mit Eingangs- und Ausgangswiderständen sowie mit einer spannungsgesteuerten Spannungsquelle als auch Kleinsignal-HF-Modelle.

Apraxia

Optokoppler, Si-npn-Fototransistor vorgenommen. Statische Modellparameter folgen aus den LED-Durchlass- und -Sperrkennlinien sowie aus dem Ausgangskennlinienfeld des Transistors. Die Sperrschichtkapazitäten werden mit dem Programm MODEL EDITOR und die Transitzeit über die frequenzabhängige Leistungsverstärkung

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Sensoren,n betrachtet, bei denen die Elemente von Schwingkreisen zu erfassen sind. Dazu zählen piezoelektrische Summer und Ultraschallsensoren. Ausgehend von Datenblattangaben werden diejenigen Modellparameter berechnet, die für eine Simulation mit dem Programm PSPICE erforderlich sind.

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