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Titlebook: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen; Simulation mit PSPIC Peter Baumann Textbook 2024Latest edition Der/die Herausgeber bzw. der

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发表于 2025-3-21 18:01:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen
副标题Simulation mit PSPIC
编辑Peter Baumann
视频video
概述Statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen zurück gewinnen.Ergänzung zum Laborpraktikum Simulationswerkzeug für den Elektronikentwickler.Simulationswerkzeug für den Elektr
图书封面Titlebook: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen; Simulation mit PSPIC Peter Baumann Textbook 2024Latest edition Der/die Herausgeber bzw. der
描述.Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms ORCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit PSPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird ausgeführt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler. In einem neuen Abschnitt werden Streuparameter-Analysen zum bipolaren HF-Transistor vorgenommen. Behandelt wird ferner die Ermittlung der Modellparameter von Sensoren zur Erfassung von Temperatur, Licht, Feuchte, Kraft, Schall, Gaskonzentration und pH-Wert. Das abschließende neue Kapitel widmet sich der Parameterextraktion von multikristallinen, monokristallinen und Dünnschicht-Silizium-Solarzellen. .
出版日期Textbook 2024Latest edition
关键词Elektrotechnik; Elektronik; Feldeffekttransistor; Halbleiterdiode; OrCAD-PSPICE; SPICE-Modellparameter; Sp
版次4
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-658-43821-0
isbn_softcover978-3-658-43820-3
isbn_ebook978-3-658-43821-0
copyrightDer/die Herausgeber bzw. der/die Autor(en), exklusiv lizenziert an Springer Fachmedien Wiesbaden Gmb
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书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen影响因子(影响力)




书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen影响因子(影响力)学科排名




书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen网络公开度




书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen网络公开度学科排名




书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen被引频次




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书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen年度引用




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书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen读者反馈




书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen读者反馈学科排名




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发表于 2025-3-21 21:24:21 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 03:43:06 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 08:27:18 | 显示全部楼层
Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor, folgen aus der Auswertung von Gleichstrom-Kennlinien. Die MOSFET-Kapazitäten können mit Messschaltungen bei der Frequenz von 1 MHz oder über die Auswertung der Frequenzabhängigkeit der maximalen stabilen Leistungsverstärkung in den drei Grundschaltungen extrahiert werden.
发表于 2025-3-22 11:38:18 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 13:58:57 | 显示全部楼层
Optokoppler, Si-npn-Fototransistor vorgenommen. Statische Modellparameter folgen aus den LED-Durchlass- und -Sperrkennlinien sowie aus dem Ausgangskennlinienfeld des Transistors. Die Sperrschichtkapazitäten werden mit dem Programm MODEL EDITOR und die Transitzeit über die frequenzabhängige Leistungsverstärkung ermittelt.
发表于 2025-3-22 18:57:27 | 显示全部楼层
Sensoren,n betrachtet, bei denen die Elemente von Schwingkreisen zu erfassen sind. Dazu zählen piezoelektrische Summer und Ultraschallsensoren. Ausgehend von Datenblattangaben werden diejenigen Modellparameter berechnet, die für eine Simulation mit dem Programm PSPICE erforderlich sind.
发表于 2025-3-22 21:36:14 | 显示全部楼层
Solarzellen, untersucht. Die Analyse von Strom, Leistung und Wirkungsgrad für die Standard-Testbedingungen erfolgt mit dem Programm PSPICE. Die Parameterextraktion liefert den Dioden-Sättigungsstrom sowie den Parallel- und Serienwiderstand.
发表于 2025-3-23 04:53:55 | 显示全部楼层
978-3-658-43820-3Der/die Herausgeber bzw. der/die Autor(en), exklusiv lizenziert an Springer Fachmedien Wiesbaden Gmb
发表于 2025-3-23 08:58:28 | 显示全部楼层
https://doi.org/10.1007/978-3-658-43821-0Elektrotechnik; Elektronik; Feldeffekttransistor; Halbleiterdiode; OrCAD-PSPICE; SPICE-Modellparameter; Sp
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