Titlebook: On-Surface Atomic Wires and Logic Gates; Updated in 2016 Proc Marek Kolmer,Christian Joachim Conference proceedings 2017 Springer Internati

Menthol

书目名称On-Surface Atomic Wires and Logic Gates影响因子(影响力)




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书目名称On-Surface Atomic Wires and Logic Gates网络公开度




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书目名称On-Surface Atomic Wires and Logic Gates被引频次




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伪造者

我没有命令

Advances in Atom and Single Molecule Machineshttp://image.papertrans.cn/o/image/701328.jpg

天赋

https://doi.org/10.1007/978-3-319-51847-3Atomic scale conducting wire; Atomic scale logic gate; Atomic scale nanowires; Atomic scale circuits; Si

Metamorphosis

ironic

Si(100):H and Ge(100):H Dimer Rows Contrast Inversion in Low-temperature Scanning Tunneling Microsc between filled- and empty-state images where the hydrogen dimer rows appear bright for filled-state images and dark for empty-state images. This contrast inversion originates from the change in the dominant surface states and their coupling to the tip apex and the bulk channels as a function of the bias voltage.

oxidant

Delphine Sordes,Aurélie Thuaire,Patrick Reynaud,Caroline Rauer,Jean-Michel Hartmann,Hubert Moriceau,nnt man vor allem durch eine genaue Analyse des Verhaltens, welches das Kind schon zeigt. Wenn Sie dieses Buch gelesen haben, sind Sie in der Lage, wichtige Aspekte des Verhaltens in ganz verschiedenen Lebensbereichen über die ersten drei Lebensjahre hinweg (und vielleicht auch etwas darüber hinaus)

exclusice

Agility

Hiroyo Kawai,Olga Neucheva,Ghassen Dridi,Mark Saeys,Christian Joachimen metastasieren nur selten in Organe außerhalb des Hirns. Sekundäre Tumore, d. h. Metastasen in das Gehirn, kommen regelmäßig vor. Die häufigsten sekundären ZNS-Tumoren sind Hämangiosarkome, Mamma-, Lungen- und Prostatakarzinome, Melanome und Lymphome.

Interlocking

2193-9691 g field of atomic scale circuits. The book will appeal to researchers and scholars interested in nanoscience and its various sub-fields including, in particular, molecular electronics, atomic scale electronics and nanoelectronics..978-3-319-84757-3978-3-319-51847-3Series ISSN 2193-9691 Series E-ISSN 2193-9705