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Titlebook: Oberflächen- und Dünnschicht-Technologie; Teil I: Beschichtung René A. Haefer Book 1987 Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1987 Auftragschw

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楼主: Interjection
发表于 2025-3-23 11:08:48 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-23 17:01:23 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-23 18:36:18 | 显示全部楼层
René A. Haefernatürlichen Ressourcen.Steigender Wohlstand verlangsamt BevöZwischen der Wirtschaftsleistung pro Kopf und wichtigen gesellschaftlichen Rahmenbedingungen wie z.B. Energiebedarf, Umweltbelastung, Bevölkerungs- und Wirtschaftswachstum, Mobilität, Ausbildung, Lebenserwartung und Gewaltbereitschaft beste
发表于 2025-3-24 01:10:01 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-24 03:54:35 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-24 10:25:01 | 显示全部楼层
,Plasmen in der Oberflächentechnologie,kung befinden. Plasmen in Gasen und Dämpfen bei niedrigen Drücken (. < 100 Pa = 1 mbar), d. h. nichtthermische Plasmen, spielen wegen ihrer Wechselwirkungen mit Festkörperoberflächen bei folgenden Beschichtungsprozessen eine Rolle: Sputtern, Ionenplattieren, aktivierte reaktive Bedampfung, plasma-ak
发表于 2025-3-24 13:46:08 | 显示全部楼层
Bedampfungstechniken,fenden Atome oder Moleküle verlassen die Oberfläche des Verdampfungsgutes und schlagen sich als Schicht auf dem Substrat und umgebenden Wänden nieder. Der Prozeß findet üblicherweise im Hochvakuum bei . < 10. Pa statt. Die Teilchen fliegen dann praktisch ohne Kollisionen, also geradlinig von der Que
发表于 2025-3-24 16:19:45 | 显示全部楼层
Sputtertechniken,es beschossenen Materials. Dieses Zerstäuben oder Sputtern ist die Grundlage eines Vakuum-Beschichtungsprozesses. Dazu wird eine Quelle des Beschichtungsmaterials, das Target, zusammen mit den Substraten in eine Kammer gebracht, die zunächst auf Hochvakuum evakuiert wird. Eine gebräuchliche Methode,
发表于 2025-3-24 19:27:55 | 显示全部楼层
Ionenplattieren,ch den Begriff „Ion Plating“ prägte. Nach Mattox ist das Ionenplattieren (IP) ein Vakuumbeschichtungs verfahren, bei dem die Substratoberfläche und/oder die sich abscheidende Schicht einem Teilchenstrom hinreichend hoher Energie ausgesetzt wird, um in der Übergangszone Substrat/Schicht (interface) s
发表于 2025-3-25 00:05:31 | 显示全部楼层
Chemische Abscheidung aus der Gasphase: CVD-Verfahren,peraturen von etwa 200...2000°C unter Zufuhr von Wärme- oder Strahlungsenergie ablaufen und dabei Festkörperprodukte und flüchtige Nebenprodukte bilden. Die einzelnen Gaskomponenten werden zusammen mit einem inerten Trägergas, meist Argon, durch die Reaktorkammer geleitet, in der die Festkörper durc
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