Titlebook: Ion Implantation and Synthesis of Materials; Michael Nastasi,James W. Mayer Book 2006 Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2006 Diffusion.Dop

cancer

Book 2006actions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described.

使闭塞

Book 2006teps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to reduce wear and, in general, to improve materials

芳香一点

dem Leser Orientierungshilfen zu geben. Wegen der Vielschichtigkeit der weltweiten Verflechtungen werden die einzelnen Sachverhalte aus unterschiedlichen Blickwinkeln betrachtet. Hohes Bevölke­ rungswachstum zum Beispiel ist ein typisches Kennzeichen der Entwicklungslän­ der und wird folglich als Problemfeld 978-3-7908-0349-5978-3-642-86593-0

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Externalize

Doping, Diffusion and Defects in Ion-Implanted Si,

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Ion-Induced Atomic Intermixing at the Interface: Ion Beam Mixing,

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Application of Ion Implantation Techniques in CMOS Fabrication,