Titlebook: Introductie in de gezondheidszorg; M. Burgt,E. Mechelen-Gevers,M. Lintel Hekkert Textbook 2005Latest edition Bohn Stafleu van Loghum 2005

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M. van der Burgt,E. van Mechelen-Gevers,M. te Lintel Hekkerts etwa 10 kW sind bipolare Leistungstransistoren und MOSFET im Einsatz. Diese Halbleiter wurden in Abschnitt 3 beschrieben. Als weitere Bauelemente haben sich bewährt: Der Thyristor, der Triac, der GTO (Abschaltthyristor) sowie der IGBT (Insulated-gate-bipolar-transistor).

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M. van der Burgt,E. van Mechelen-Gevers,M. te Lintel Hekkertnaue und preisgünstige Schwingungserzeuger. Neben der Wirkungsweise werden typische Eigenschaften, Fehlermöglichkeiten und Temperaturverhalten erläutert. Die Verfahren zur Entwicklung von Präzisionsoszillatoren für höchste Anforderungen werden dargestellt.

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