Titlebook: High-Speed Photodiodes in Standard CMOS Technology; Saša Radovanović,Anne-Johan Annema,Bram Nauta Book 2006 Springer-Verlag US 2006 Absorp

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书目名称High-Speed Photodiodes in Standard CMOS Technology影响因子(影响力)




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书目名称High-Speed Photodiodes in Standard CMOS Technology网络公开度




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Rotator-Cuff

eses Kapitels soll nun die Entwicklung der Immigration in der Bundesrepublik seit Beginn des Gastarbeitersystems im Jahr 1961 beschrieben werden. Diese Darstellung wird zeigen, daß die Bundesrepublik Deutschland seit ihrem Bestehen eine enorme Zuwanderung verzeichnen konnte und als eines der wichtig

Intact

狼群

tät der Löhne, der Zusammensetzung des Zuwandererstromes hinsichtlich der Qualität der Migranten und den produktionstechnischen Zusammenhängen zwischen den einzelnen Produktionsfaktoren abhängen. In diesem Kapitel wird nun auf Basis der im letzten Abschnitt abgeleiteten theoretischen Modelle das qua

闯入

tät der Löhne, der Zusammensetzung des Zuwandererstromes hinsichtlich der Qualität der Migranten und den produktionstechnischen Zusammenhängen zwischen den einzelnen Produktionsfaktoren abhängen. In diesem Kapitel wird nun auf Basis der im letzten Abschnitt abgeleiteten theoretischen Modelle das qua

Feedback

浪费物质

,Bulk CMOS photodiodes for λ = 400 nm,d frequency domain analyses of monosilicon photodiodes in a standard 0.18 µm CMOS technology, for λ = . nm..For monosilicon diodes, the maximum calculated intrinsic −3 dB bandwidth is up to 6 GHz at λ = 400 nm; this corresponds to a cut-off frequency of about 4 GHz. The photodiodes designed in twin-

杂色

Polysilicon photodiode, to a very small parasitic capacitance (<0.1 pF). For λ = . nm, the achieved quantum efficiency is however only 2.5% due to the very small light sensitive diode volume. The diode active area is limited by a narrow depletion region while the small depth is limited by the technology.

mediocrity

CMOS photodiodes: generalized,f CMOS technology, for all wavelengths for which most of the light is absorbed at depths smaller than that of the most shallow junction, shorter wavelengths result in a lower bandwidth. This bandwidth is however still in the hundreds of MHz range..For wavelengths for which the 1/e-absorption depth i

绅士

Polysilicon photodiode, to a very small parasitic capacitance (<0.1 pF). For λ = . nm, the achieved quantum efficiency is however only 2.5% due to the very small light sensitive diode volume. The diode active area is limited by a narrow depletion region while the small depth is limited by the technology.