Titlebook: High-Power Diode Lasers; Fundamentals, Techno Roland Diehl Book 2000 Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2000 Dioden Laser.basics.dynamics.ep

AXIS

Topics in Applied Physicshttp://image.papertrans.cn/h/image/426689.jpg

BORE

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铁砧

GLEAN

Commonplace

Uwe Brauch,Peter Loosen,Hans Opowertalten sind, stellen die Autoren die wesentlichen Anforderungen zusammen...Jedes Unternehmen - ob ein kleines Büro, ein Handwerksbetrieb oder ein Konzernunternehmen - muß sich mit diesen Fragen auseinandersetze978-3-540-00792-0978-3-642-18506-9

Reclaim

BLA

Markus Weyers,Arnab Bhattacharya,Frank Bugge,Arne Knauer

膝盖

Encephalitis

GaAs Substrates for High-Power Diode Lasers,nical part. Boric oxide was used to fully encapsulate the crystal and the melt. An initial silicon content in the GaAs melt of .(Si.) = 3 × 10. cm. has to be used in order to achieve a carrier concentration of . = (0.8−2) × 10. cm., which is the substrate specification of the device manufacturer of