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Titlebook: Halbleiter-Technologie; Ingolf Ruge Textbook 19842nd edition Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1984 Halbleiter

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楼主: 恰当
发表于 2025-3-23 13:19:10 | 显示全部楼层
Der Metall-Halbleiter-Kontakt,chen Herstellung gegeben.. Metall-Halbleiter-Übergänge treten zum einen bei der Kontaktierung von Bauelementen (vorwiegend polungsunabhängige Kontakte) auf; zum anderen werden Metall-Halbleiter-Übergänge in zunmehmendem Maße als eigenständige Bauelemente verwendet (z.B. in Form von Schottky-Dioden,
发表于 2025-3-23 16:30:11 | 显示全部楼层
,Meßverfahren zur Ermittlung von Halbleiterparametern,eitermeßtechnik bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen prinzipiell zur Verbesserung und Überwachung der Kristallherstellung und Kennzeichnung des Grundmaterials durch Angabe des Leitungstyps, der Leitfähigkeit und anderer elektrischer Parameter, sowie zur Überwachung der Veränderungen im Mat
发表于 2025-3-23 18:24:09 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-23 22:17:59 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-24 02:31:07 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-24 09:00:12 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-24 12:49:14 | 显示全部楼层
https://doi.org/10.1007/978-94-011-7846-4chen Herstellung gegeben.. Metall-Halbleiter-Übergänge treten zum einen bei der Kontaktierung von Bauelementen (vorwiegend polungsunabhängige Kontakte) auf; zum anderen werden Metall-Halbleiter-Übergänge in zunmehmendem Maße als eigenständige Bauelemente verwendet (z.B. in Form von Schottky-Dioden,
发表于 2025-3-24 18:14:00 | 显示全部楼层
https://doi.org/10.1007/978-1-4899-6008-5eitermeßtechnik bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen prinzipiell zur Verbesserung und Überwachung der Kristallherstellung und Kennzeichnung des Grundmaterials durch Angabe des Leitungstyps, der Leitfähigkeit und anderer elektrischer Parameter, sowie zur Überwachung der Veränderungen im Mat
发表于 2025-3-24 21:33:20 | 显示全部楼层
https://doi.org/10.1007/978-1-4039-4401-6ng enthält), können in den allerwenigsten Fällen in dieser Form vom Anwender in System wie Leiterplatten usw. eingebaut werden. Dies liegt u.a. daran, daß eine geringfügige mechanische Beanspruchung das aus der dünnen (ca. 1 μm dicken) Aluminiumschicht bestehende Leiterbahnmuster zerstören würde; au
发表于 2025-3-25 01:40:15 | 显示全部楼层
https://doi.org/10.1057/9781137264992t, daß alle Komponenten einer Schaltung auf einer Siliziumscheibe mit denselben technologischen Prozessen hergestellt werden. Als aktive Elemente werden bei monolithischen Schaltungen sowohl bipolare Transistoren (Abschn. 11. l) als auch unipolare Transistoren, also MOS-Transistoren (Abschn. 11.2),
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