Titlebook: GaAs-Feldeffekttransistoren; Walter Kellner,Hermann Kniepkamp Textbook 19851st edition Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1985 Bauelemente.

T-cell

书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren影响因子(影响力)




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书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren网络公开度




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书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren被引频次




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书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren年度引用




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准则

Cardioversion

金哥占卜者

,Ternäre und quaternäre Halbleiter für Hochfrequenz-FET,en. Parasitäre Größen, die ihren Ursprung im Design und in nicht optimalen Herstellungs-bedingungen haben, verfälschen die erzielbaren Ergebnisse. Letztlich sind es aber die Transporteigenschaften und die Bandstruktur des Halbleitermaterials, welche die bestimmenden Faktoren darstellen.

高兴一回

Ausblick: Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs,inen kurzen Überblick über den bis jetzt erreichten Stand (1983) bei analogen und digitalen Schaltungen geben. Ausführliche Informationen über GaAs-IS sowie über neueste Entwicklungen (optoelektronische integrierte Schaltungen, Schaltungen auf anderen III–V-Halbleitern als GaAs oder auf Schichtfolge

inscribe

Grundlagen,ngsträger eines Typs (Elektronen oder Löcher) beteiligt sind, spricht man hier auch von unipolaren Transistoren. In bipolaren Transistoren dagegen nehmen sowohl Elektronen als auch Löcher am Stromtransport teil. Band 6 dieser Buchreihe behandelt diese Transistoren.

inscribe

GaAs-MESFET,zwischen Flächenladung Q und Potential V leicht ableiten. Diese Beziehung Q(V) hängt, wie in Kap.3 erläutert, vom Steuermechanismus der Gateelektrode ab. Wenn sich die Flächenladung im Kanal nicht abrupt ändert, läßt sich Q(V) angeben und das zweidimensionale Problem auf ein eindimensionales zurückführen.

凝结剂

,A Pressure-group under Pressure (1906–14),ihren Eigenschaften. Obwohl mittlerweile feststeht, daß der GaAs-MESFET durchaus die Zuverlässigkeit von Bauelementen auf Silizium erreicht (vgl. Abschn.6.3), sind einige der im folgenden erwähnten Probleme noch nicht gelöst.

迎合

无关紧要

,Dissension and Decline (1950–60),ngsträger eines Typs (Elektronen oder Löcher) beteiligt sind, spricht man hier auch von unipolaren Transistoren. In bipolaren Transistoren dagegen nehmen sowohl Elektronen als auch Löcher am Stromtransport teil. Band 6 dieser Buchreihe behandelt diese Transistoren.