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Titlebook: Elektronik; Einführung für alle Heiner Herberg Textbook 2002 Springer Fachmedien Wiesbaden 2002 Bauelemente.Digitaltechnik.Dioden.Elektron

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楼主: DUCT
发表于 2025-3-25 03:35:33 | 显示全部楼层
Textbook 2002ien. Ein Teil der Schwierigkeiten, die besonders Studierende mit Elektro-nik im Nebenfach haben, liegt darin, dass notwendige Kenntnisse der Elek-tro--technik oft nicht mehr präsent sind. Daher beginnt das Buch mit einer um-fang-reichen Zusammenstellung dieser Grundlagen. Darauf auf-bau-end werden d
发表于 2025-3-25 09:07:38 | 显示全部楼层
ssierte Laien. Ein Teil der Schwierigkeiten, die besonders Studierende mit Elektro-nik im Nebenfach haben, liegt darin, dass notwendige Kenntnisse der Elek-tro--technik oft nicht mehr präsent sind. Daher beginnt das Buch mit einer um-fang-reichen Zusammenstellung dieser Grundlagen. Darauf auf-bau-en
发表于 2025-3-25 14:41:25 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-25 16:29:37 | 显示全部楼层
Koevolution von AIFM- und OGAW-Regimeng der Verstärkerschaltung hingelegt werden. Dieser Schritt der Schnittpunktedefinition entscheidet darüber, welche Bauelemente innerhalb des Vierpols liegen und damit in die Gesamtfunktion verschmelzen und welche als Außenbeschaltung außerhalb stehenbleiben und extra berechnet werden müssen.
发表于 2025-3-25 23:55:54 | 显示全部楼层
https://doi.org/10.1007/978-3-658-22072-3Mitteln am Beispiel eines universellen Operationsverstärkers die wirklich so universelle, und deshalb breite Einsatzmöglichkeit herausgearbeitet werden. Dazu gehört ein gutes allgemeines Wissen über die Operationsverstärker, das Spezialwissen kann danach aus den entsprechenden Literaturstellen [18...22] herausgezogen werden.
发表于 2025-3-26 01:56:52 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-26 06:31:27 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-26 12:14:31 | 显示全部楼层
PN-Diode,en und den Ladungsträgertransport zu untersuchen. Im folgenden Kapitel wird über eine kurze Darstellung der physikalischen Grundlagen zum technisch nutzbaren Effekt übergegangen. Daran anschließend werden zwei Einsatzgebiete, den Gleichrichter und der Z-Diode als Stabilisator intensiver behandelt. A
发表于 2025-3-26 15:34:04 | 显示全部楼层
Feldeffekttransistoren,T und Isolierschicht-FET an je einem typischen Vertreter, dem n-Kanaltyp, behandelt werden. Die Feldeffekttransistoren sind wie die Bipolartransistoren in beiden Kanaldotierungsarten (n- oder p-dotiert) herstellbar und haben dementsprechend analoge Verhaltensweisen. So ist es einfach möglich, Schlüs
发表于 2025-3-26 20:32:23 | 显示全部楼层
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