Titlebook: Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden; Bernd Höfflinger,Günter Zimmer,Heinz Ger

啜泣

,Angewandte Meßverfahren,Zerbst-Methode /5/ aus dem C.(t) Verhalten von MOS-Kondensatoren über undotiertem Substratmaterial bestimmt. Die Messung erfolgte auf einem abgeschirmten Spitzenmeßplatz unter Verwendung eines rechnergesteuerten Meßsystems, dessen Blockschaltbild in Abb. 6 wiedergegeben ist.

infarct

最有利

Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden978-3-322-87706-2

悠然

教育学

剥削

Beschreibung der Teststrukturen, p-Kanal-Technologie die bei der Implantation der Depletion-Transistoren entstehenden flachen pn-übergänge mit Tiefen von 0,1 μm-0,3μm als aktive Zonen benutzt. Eine vor der Implantation aufgewachsene, die aktive Zone abdeckende SiO.-Schicht, gleichzeitig Gateoxid der Transistoren, dient als Antiref

Diastole

nascent

Vergleich der Fotodioden in p-Kanal, n-Kanal und CMOS-Technologie,zogen, da dieser Getterprozeß auf der Rückseite in n-Kanal und CMOS-Technologie ohne zusätzlichen Aufwand mit der Phosphorbelegung ausgeführt wird. Die Prozeßfolge und das Layout entsprach der Beschreibung in Kapitel 2. für die Implantationen, deren Implantationsparameter nach Kapitel 5.2 unkritisch

AND

audiologist

The Control of Gene Expression by Auxin,l differentiation. The mechanism(s) by which auxin affects such diverse processes is unknown, but the suggestion that auxin-mediated changes in growth are accompanied by alterations in nucleic acid metabolism was made 40 years ago (.). In the ensuing years, the relationship between auxin action and