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Titlebook: Die extrapleurale Thorakoplastik; Akademische Abhandlu H. Elving Book 1913 Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1913 After.Genom.Hoden.Indikat

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楼主: urinary-tract
发表于 2025-3-26 22:49:37 | 显示全部楼层
978-3-662-24157-8Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1913
发表于 2025-3-27 01:18:13 | 显示全部楼层
https://doi.org/10.1007/3-540-30318-9Die Einwirkung der Operation auf die erkrankte Lunge kommt in der Abnahme des Sputums, dem Abfall des Fiebers und der Besserung des Allgemeinzustandes zum Ausdruck.
发表于 2025-3-27 07:52:45 | 显示全部楼层
Bilen Emek Abali,Celal ÇakıroğluDie bisherigen Besprechungen haben gezeigt, daß die Thorakoplastik weitgehende anatomische Veränderungen hervorruft, die die Grundlage klinischer Besserung der Krankheit abgeben. Es war weiter schon hervorgehoben, daß diese Besserung in manchen Fällen anhaltend ist und schließlich sogar in Heilung übergeht.
发表于 2025-3-27 12:38:15 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-27 13:36:05 | 显示全部楼层
Die Erfolge der Behandlung der Lungentuberkulose durch die Thorakoplastik,Die bisherigen Besprechungen haben gezeigt, daß die Thorakoplastik weitgehende anatomische Veränderungen hervorruft, die die Grundlage klinischer Besserung der Krankheit abgeben. Es war weiter schon hervorgehoben, daß diese Besserung in manchen Fällen anhaltend ist und schließlich sogar in Heilung übergeht.
发表于 2025-3-27 19:47:12 | 显示全部楼层
http://image.papertrans.cn/d/image/277263.jpg
发表于 2025-3-28 01:35:48 | 显示全部楼层
,Die technische Ausführung der Thorakoplastik,icht darauf zu legen, daß sich die Kranken den klimatischen Verhältnissen anpassen. Namentlich gilt das für Kranke, die aus dem Hochgebirge in die Ebene kommen Weiter soll man dafür sorgen, daß die Kranken möglichst gut aushusten, um die Aspirationsgefahr während und nach der Operation zu verhindern.
发表于 2025-3-28 06:08:41 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-28 08:20:59 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-28 12:44:42 | 显示全部楼层
Oxidation, MOS Capacitors, and MOSFETs,faces as the most promising technique for achieving the device-quality interfaces required for commercial applications. Finally, the performance of some of the power MOSFETs fabricated on SiC is presented.
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