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Titlebook: Bauelemente der Halbleiterelektronik; Teil 1 Grundlagen, D Herbert Tholl Book 1976 Springer Fachmedien Wiesbaden 1976 Bauelement.Diode.Elek

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楼主: 戏弄
发表于 2025-3-23 10:37:48 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-23 14:22:37 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-23 19:23:23 | 显示全部楼层
,Physikalische Grundlagen der Stromleitung in Festkörpern,Leitfähigkeit als die Metalle, verglichen mit Isolatoren stellen sie jedoch relativ gute Leiter dar. Diese Stoffe, deren wichtigste Vertreter Silizium (Si) und Germanium (Ge) sind, werden deshalb als Halbleiter bezeichnet.
发表于 2025-3-23 23:57:25 | 显示全部楼层
Book 1976or allem die Fortschritte der Festkörper- und Halbleiterphysik, die diese Entwicklung vorantrieben. Während in den fünfziger Jahren die Schaltungstechnik in zunehmendem Maße den übergang von Röhren- zu Transistorschaltungen vollzog, wurde in den sechziger Jahren als weiterer Fortschritt der Einsatz
发表于 2025-3-24 05:19:55 | 显示全部楼层
The Criminalization of Homelessnesserte positive Raumladung auf. Im P-Gebiet verbleiben unkompensierte negative Akzeptoren und zusätzlich eingedrungene Elektronen, so daß dort eine negative unkompensierte Raumladung entsteht (Bild ..1 c). Diese Raumladung baut ein elektrisches Feld auf, das einen zum Diffusionsstrom der Majoritätsträ
发表于 2025-3-24 07:51:43 | 显示全部楼层
Halbleiterdioden,erte positive Raumladung auf. Im P-Gebiet verbleiben unkompensierte negative Akzeptoren und zusätzlich eingedrungene Elektronen, so daß dort eine negative unkompensierte Raumladung entsteht (Bild ..1 c). Diese Raumladung baut ein elektrisches Feld auf, das einen zum Diffusionsstrom der Majoritätsträ
发表于 2025-3-24 11:33:42 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-24 18:01:35 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-24 21:51:54 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-25 01:32:45 | 显示全部楼层
Halbleiterdioden,ensatz zu den ortsfesten Donatoren und Akzeptoren die Elektronen des N-Bereichs und die Löcher des P-Bereichs (Majoritätsträger) in das Gebiet entgegengesetzter Dotierung, in dem sie dann Minoritätsträger sind. Ursache für diese Diffusion ist die thermische Energie der Träger und das Konzentrationsg
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