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Titlebook: Aktive elektronische Bauelemente; Aufbau, Struktur, Wi Leonhard Stiny Book 20152nd edition Springer Fachmedien Wiesbaden 2015 Ausgang.Bipol

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发表于 2025-3-21 16:14:37 | 显示全部楼层 |阅读模式
期刊全称Aktive elektronische Bauelemente
期刊简称Aufbau, Struktur, Wi
影响因子2023Leonhard Stiny
视频video
发行地址Wiederholung elektrischer und elektronischer Grundlagen zu Beginn jedes Kapitels.Ausführliche Erläuterung mathematischer Zusammenhänge.Hinweise für Anwendungen in der Praxis.Includes supplementary mat
图书封面Titlebook: Aktive elektronische Bauelemente; Aufbau, Struktur, Wi Leonhard Stiny Book 20152nd edition Springer Fachmedien Wiesbaden 2015 Ausgang.Bipol
影响因子Das Werk bietet ein umfangreiches Wissen über diskrete und integrierte Bauelemente der Halbleitertechnik. Beim Entwurf elektronischer Schaltungen sind gründliche Kenntnisse über eingesetzte Bauelemente erforderlich, um sowohl technisch als auch wirtschaftlich beste Lösungen zu finden und fehlerfreie Produkte zu realisieren. Als Basis werden die theoretischen und physikalischen Grundlagen der Halbleitertechnik vermittelt. Für alle Halbleiter-Bauelemente werden Aufbau, Wirkungsweise, Kenngrößen, Eigenschaften und Charakteristiken erläutert. Mögliche Anwendungen werden unter Bezug auf die Praxis aufgezeigt. Das Buch kann im Studium, in der Lehre sowie als Nachschlagewerk in der Praxis verwendet werden.
Pindex Book 20152nd edition
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发表于 2025-3-21 23:22:48 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 04:18:23 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 05:34:05 | 显示全部楼层
,Der pn-Übergang,kttransistor, Bipolartransistor, Thyristor oder Triac. Die an ihm auftretenden physikalischen Vorgänge werden hier nur soweit erklärt, wie sie für das Verständnis dieser Bauelemente erforderlich sind. Zunächst wird der pn-Übergang ohne äußere Spannung (im thermodynamischen Gleichgewicht), dann mit äußerer Spannung betrachtet.
发表于 2025-3-22 10:42:14 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 13:30:46 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 17:27:59 | 显示全部楼层
Hermann v. Hayek Dr. Med. Et Phil.t. Feldeffekttransistoren haben aber nur . interne Sperrschicht. Beim FET trägt zur Steuerung und zum Stromtransport je nach Bauart nur eine Sorte von Ladungsträgern bei, Elektronen . Löcher. Daher werden FETs auch als . (unijunction transistor, UJT) bezeichnet..FET haben wie Bipolartransistoren drei Anschlüsse. Diese werden wie folgt bezeichnet:
发表于 2025-3-23 00:53:46 | 显示全部楼层
Zusammenfassung und Folgerungen,je Bit aus. Durch ihre Herstellung als integrierte Schaltkreise ergibt sich eine hohe Speicherdichte und damit ein kleines Volumen. Aus Speicher-ICs lassen sich Speicher mit beliebiger Kapazität und Organisation aufbauen, die vorwiegend als Programm- und Datenspeicher in Mikroprozessoranwendungen eingesetzt werden (z. B. als PC-Arbeitsspeicher).
发表于 2025-3-23 04:30:15 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-23 07:40:52 | 显示全部楼层
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