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Arshad Khanr Beschreibung der technologischen Prozesse nicht in Einzelheiten zu verlieren, vielmehr das Grundsätzliche herauszustellen und auch theoretisch abzustützen, darf als geglückt bezeichnet werden..." #.AEU . .Archiv für Elektronik und Übertragungstechnik.#978-3-540-53873-8978-3-642-58235-6Series ISSN 0172-5882

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Arshad Khanr. Die letzteren sind trotz ihrer geringen Anzahl für das Betriebsverhalten sogar quantitativ entscheidend; das hat wie bei der pn-Diode u. a. eine wesentlich stärkere Temperaturabhängigkeit der Strom-Spannungs-Charakteristiken als beim FET zur Folge.

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Arshad Khansuchungen und eingehender Untersuchung der verschiedenen Einflüsse von Temperatur, Magnetfeld usw. auf das Leitungsverhalten möglich und ohne vorerst nähere Erklärungen abzugeben, merken wir an, daß Halbleiter eine „verbotene Zone“ besitzen, Halbmetalle dagegen ebenso wie Metalle keine. Der Übergang

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Arshad Khantor and then recombine in the interior thereof. It is shown that in accordance with the last-mentioned transition mechanism the theory contains . theory of homogeneous . junctions as a special case. Double-barrier layers having one semiconductor adjoining another semiconductor of the same conductivi

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Arshad Khantion equipments such as measuring sets, signal generators, pilot and . dialing receivers, companders, as well as to complementary amplifiers, pulse amplifiers, multivibrators and small-size transmitters. The transistor is thus seen to be making headway not only in the proper communications sector, b

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Arshad Khan of attack is explained (method of Slater Sums, .) and comment is given on some recent work. Then more detailed features of the process of such a transition are discussed on the basis of the same simplified model as used above in treating radiative transitions.

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