Titlebook: Solarzellen; Physikalische Grundl Dieter Meissner Book 1993 Friedr. Vieweg & Sohn Verlagsgesellschaft mbH, Braunschweig/Wiesbaden 1993 Ener

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Theoretische Simulationen von HalbleiterstrukturenUntersuchungen bilden sie die notwendige Voraussetzung für ein grundlegendes physikalisches Verständnis von Strukturbildungsprozessen, der Stabilität sowie Struktur/Eigenschaftskorrelationen dieser Materialien auf mikroskopischem, d. h. molekularem Niveau.

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Die CdTe/CdS-Dünnschichtsolarzellehichten hergestellt werden. Dies macht CdTe zu einem der interessantesten Kandidaten für Dünnschichtsolarzellen. Dieses Material wurde um 1960 zum ersten Mal für den Einsatz in Dünnschichtzellen verwendet. Wirkungsgrade von ca. 6 % wurden erreicht [1–3].

FIS

Die Tandem-Solarzellearzellen entscheidenden physikalischen Voraussetzungen werden verschiedene Kombinationen aus .-Si:H, .-Ge:H, kristallines Si, CuInSe., CuGaSe., GaAs, und GaSb beschrieben und ihre Eigenschaften diskutiert. Zum Schluß werden die Vor- und Nachteile von Zwei- und Vier-Kontakt-Tandem-Solarzellen gegenübergestellt.

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Dünnschicht-DepositionstechnikenBereits im Altertum wußte der Mensch dünne Schichten, deren Dicken so gering sind, daß ihr physikalisches Verhalten stark von dem einer massiven Probe gleichen Materials abweicht, zu nutzen.