Titlebook: Simulation von Feldeffekttransistoren bei kleinen Drainströmen; Horst Gad Book 1978 Westdeutscher Verlag GmbH, Opladen 1978 Bauelement.Fel

运动的我

,Einführung, sind physikalisch exakt abgeleitete Modelle und Curve-Fitting-Modelle. Für allgemeine Schaltungsberechnungen sind physikalisch exakte Modelle nur dann anwendbar, wenn dies in engem Zusammenhang mit der Herstellung des Bauelementes oder der Schaltung etwa als monolithisch integrierte Schaltung gesch

evaculate

,Übertragungskennlinie,tragungs-Charakteristik ID(U., U. = const.) dargestellt. Die Leistungsfähigkeit dieses neuartigen Modells der Gl. (7) ist zu erkennen. Die Ströme der beiden Teilbereiche, gekennzeichnet durch I. und I. sind eingetragen. In Abb. 8 ist der Bereich der Ubertragungs-Charakteristik zu erkennen, der bei V

abnegate

Zusammenfassung, Ausgehend von bekannten MOSFET-Modellen wird ein neues für Schaltungsberechnungen praktikables CurveFitting-Modell unter Berücksichtigung der FET-Typen angegeben. Experimentelle Ergebnisse bestätigen die Rechnungen.

中和

Kennlinien-Modell,Wenn im mittleren Drainstrom-Bereich, beim BFR 29 etwa 0,5 mA < ID < 3 mA, ausgesteuert wird, kann die klassische Kennliniengleichung.mit den Parametern β und U. bei Aussteuerung im Sättigungsgebiet benutzt werden.

唤醒

Parameter-Bestimmung,Die Parameter β und U. werden im quadratischen Bereich der Übertragungs-Charakteristik im Sättigungsgebiet bestimmt. Zweckmäßig ist die .- (UGS) -Darstellung (Abb. 6). Mit Hilfe von Gl. (4) werden die Parameter C. und C. im exponentiellen Bereich der Übertragungs-Charakteristik bestimmt.

inhumane

Anwendung des Modells,Für die Anwendung des Modells in der Schaltungsberechnung ist die Kenntnis des Steilheitsverlaufs wesentlich [1, 2, 3, 4, 6, 14].

obsolete

Anhang,Im Rahmen dieser Forschungsarbeiten wurde ein Multifunktionsgerät [8] erstellt, mit dessen Hilfe eine Vielzahl von Abhängigkeiten sofort mit einem XY-Schreiber aufgezeichnet werden können. Insbesondere kann die I.(U., U. = const.)-Charakteristik genau und schnell ermittelt werden.

使绝缘

Zusammenfassung, Ausgehend von bekannten MOSFET-Modellen wird ein neues für Schaltungsberechnungen praktikables CurveFitting-Modell unter Berücksichtigung der FET-Typen angegeben. Experimentelle Ergebnisse bestätigen die Rechnungen.

Genistein

978-3-531-02705-0Westdeutscher Verlag GmbH, Opladen 1978

自恋

Overview: 978-3-531-02705-0978-3-322-88393-3