Titlebook: Reaktionen in und an Festen Stoffen; Karl Hauffe Conference proceedings 19551st edition Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1955 Chemische R

得罪

Einleitung,u klären, wo die entscheidenden Vorgänge sich in oder an einem festen Körper abspielen, wie z. B. bei Zundervorgängen an Metallen und Legierungen, bei Reduktionsvorgängen an Erzen, bei Ausscheidungs- und Aushärtungsvorgängen in Metallegierungen und bei keramischen Reaktionen. Nicht nur fehlte es häu

亚当心理阴影

obstruct

Fehlordnung und elektrisches Verhalten der Ionen- und Valenzkristalle,inder starkem homöopolarem Bindungsanteil — schließen müssen, ist ein ideales Kristallgitter, wie bereits erwähnt, nur ein idealer Grenzfall, der selbst bei stöchiometrisch zusammengesetzten Kristallen oberhalb 0°K nicht realisierbar ist. Schon bei Zimmertemperatur und Atmosphärendruck wird eine meh

Acetaminophen

,Randschichterscheinungen an halbleitenden Kristallen und Chemisorption von Gasen an Festkörpern,behandelt worden, daß die im gesamten Kristall homogen verteilten Ionen- und Elektronenfehlordnungsstellen mit der den Kristall umgebenden Gasatmosphäre im thermodynamischen Gleichgewicht stehen. Diese Gleichgewichtseinstellung kann durch Wahl einer genügend hohen Versuchstemperatur häufig erreicht

Minatory

,Diffusionsvorgänge in festen Stoffen,fe räumlich voneinander trennt, ist ein weiteres Fortschreiten der Reaktion nur dadurch möglich, daß mindestens einer der Reaktionspartner durch die feste Phase des Reaktionsproduktes wandert. Da bei höheren Temperaturen die eigentliche chemische Reaktion an der Phasengrenze bei der weitaus größten

持久

COST

,Der Mechanismus der Bildung von Ionenverbindungen höherer Ordnung durch Reaktion im festen Zustand,iziert sein. Zu seiner Aufklärung haben wir uns der Theorie der Diffusion mit quasi-neutralen Fehlordnungsstellen- Gradienten, der Chemisorption (Randschichttheorie) und des Auftretens elektrischer Felder in Reaktionsproduktschichten bedient. Während der Oxydationsmechanismus von reinen Metallen bei

extinct

,Über Reduktions- und Röstprozesse, langsam mit den Reaktionsgasen reagieren. Die Ursache des unterschiedlichen Verhaltens, das in zahlreichen Einzelarbeiten beobachtet und beschrieben wurde, ist bis auf wenige Reaktionen auch heute noch ungenügend aufgeklärt. Erst nach den in den vorangehenden Kapiteln behandelten Fehlordnungs- und

开始从未

,Schlußbetrachtungen und Ausschau,ellt jedoch den Festkörper-Chemiker und -Physiker vor immer neue Probleme und Aufgaben, deren Lösung nur dann mit Erfolg möglich ist, wenn man kritisch prüfend die Vielzahl der Einzelbeobachtungen aus der Festkörperphysik (über den realen Aufbau der Kristalle, die Thermodynamik und Kinetik der den K

Acetaldehyde

,Randschichterscheinungen an halbleitenden Kristallen und Chemisorption von Gasen an Festkörpern,ungsstellen im Kristall abhängen wird. Die Einstellung eines thermodynamischen Gleichgewichts in endlichen Zeiten ist an eine genügend hohe Platzwechsel- bzw. Diffusionsgeschwindigkeit der Ionenfehlordnungsstellen gebunden.