Titlebook: Narrow Gap Semiconductors Physics and Applications; Proceedings of the I Wlodek Zawadzki Conference proceedings 1980 Springer-Verlag Berlin

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undarstufe 1 und in der Linearen Algebra und Analytischen Geometrie in der Sekundarstufe 2 werden auf diesem Papier erstellt. Damit bietet es sich an, dieses Raster als Hilfsmittel zur Darstellung der Raumansicht von Körpern, Flächen, Punkten und Geraden zu nehmen. Dieses passiert auch schon teilwei

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Leonard Sosnowskicht, dass wissenschaftlich generierte Erkenntnisse durch die praktische Anwendung zu einer rationalen Erweiterung der Entscheidungs- und Handlungsmöglichkeiten innerhalb der Schulen führen. Anders formuliert, dass es zu Qualitätssicherungs- und Qualitätsentwicklungsprozessen kommt, die sich auf empi

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E. O. Kanecht, dass wissenschaftlich generierte Erkenntnisse durch die praktische Anwendung zu einer rationalen Erweiterung der Entscheidungs- und Handlungsmöglichkeiten innerhalb der Schulen führen. Anders formuliert, dass es zu Qualitätssicherungs- und Qualitätsentwicklungsprozessen kommt, die sich auf empi

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J. Hajdueßende und aus Sicht des Autors z. T. fatale Fehlentwicklungen innerhalb der Politikdidaktik. Als deren Kern wird eine Melange aus bildungspolitischen bzw. -administrativen Vorgaben, Anerkennungsbedürfnissen und dahinterliegenden Ängsten, eher strategischer denn inhaltlich begründbarer Forschungsaus

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https://doi.org/10.1007/3-540-10261-2Narrow-Gap-Halbleiter; band structure; crystal; electron; magnetic properties; phase transition; scatterin

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Magnetic properties of narrow gap semiconductors,Magnetic properties of narrow-gap semiconductors depend essentially on parameters, which can be varied experimentally. These parameters are the energy gap, temperature, free carrier concentration and magnetic field. For that reason we regard magnetic measurements as an interesting tool in the investigation of these materials.

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978-3-540-10261-8Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1980

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Narrow Gap Semiconductors Physics and Applications978-3-540-38382-6Series ISSN 0075-8450 Series E-ISSN 1616-6361