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Titlebook: Konstruieren mit 3D-CAD-Systemen; Grundlagen, Arbeitst Gerhard Pahl Textbook 1990 Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1990 CAD.Darstellungste

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楼主: Holter-monitor
发表于 2025-3-25 03:24:12 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-25 09:51:47 | 显示全部楼层
Darstellungstechnik,h die Eingabeprozeduren mit Hilfe von Kommandos und ihre erkennbare Ausführung und Bestätigung behandelt wurden, ist es nun notwendig, die für den Dialog benötigten . näher zu betrachten. Bild 7.1 zeigt den Kommunikationsbereich einschließlich der Routinen, die die Visualisierung des generierten Obj
发表于 2025-3-25 13:05:40 | 显示全部楼层
,Erzeugnisstruktur und Stücklistenerstellung, die bestehenden Verbindungen werden durch die . beschrieben [PAB 86]. Nach Abschluß der Entwicklung und endgültiger Zuordnung der Teile zu bestimmten Baugruppen wird aus der Baustruktur die Erzeugnisstruktur gebildet. Die . gibt zu erkennen, welche Baugruppen und welche Teile zu einem Erzeugnis geh
发表于 2025-3-25 19:09:50 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-25 23:57:17 | 显示全部楼层
Gerhard Pahl Die Störungen werden im Wesentlichen durch schnelle Schalt- bzw. Kommutierungsvorgänge im Leistungsteil des Umrichters verursacht. Zusätzlich können Resonanzkreise aus parasitären Kapazitäten und Induktivitäten zu hochfrequenten Schwingungen angeregt werden.
发表于 2025-3-26 03:26:34 | 显示全部楼层
Gerhard Pahllgt schließlich der IGBT, das heutige „Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leistung) mit denen des MOSFET (Ansteuerung) vereint. Mit dem IGBT lassen sich derzeit Spannungen bis über 6 kV bzw. Ströme über 3 kA mit einem vergleichsweise geringen Steu
发表于 2025-3-26 06:24:11 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-26 10:05:00 | 显示全部楼层
Gerhard Pahlandelt. Aufbauend auf der bipolaren Transistorstruktur wird der Thyristor und der GTO-Thyristor bzw. IGCT vorgestellt. Nach Einführung des MOSFET-Leistungstransistors folgt schließlich der IGBT, das heutige „Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leis
发表于 2025-3-26 16:41:19 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-26 19:25:43 | 显示全部楼层
unipolaren MOSFET-Leistungstransistors folgt schließlich der IGBT, das heutige „Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leistung) mit denen des MOSFET (Ansteuerung) vereint. Mit dem IGBT lassen sich derzeit Spannungen bis über 6 kV bzw. Ströme über 3
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