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Titlebook: Information, Photonics and Communication; Proceedings of Secon Jyotsna Kumar Mandal,Kallol Bhattacharya,Surajit M Conference proceedings 20

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楼主: Stubborn
发表于 2025-3-25 03:48:54 | 显示全部楼层
Visual Saliency Based Video Summarization: A Case Study For Preview Video Generations short-duration sequence combination of each scene corresponding to stationary camera. This work aims at using visual saliency features to trace scene-change positions in the video. In the present work, visual saliency features are built using color and intensity information as features. Further, u
发表于 2025-3-25 08:44:47 | 显示全部楼层
g drosselte sie nicht, sondern trieb sie teilweise sogar beschleunigt vorwärts. Es entstanden als Wasserrohrgroßkessel die Strahlungskessel, welche eine beherrschende Stellung bis zu den höchsten Drücken einnahmen. Daneben machte auch die Entwicklung einiger Sonderkesselsysteme weitere bedeutende Fo
发表于 2025-3-25 14:51:02 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-25 18:56:23 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-25 21:45:04 | 显示全部楼层
Soma Bandyopadhyay,S. S. Thakur,Jyotsna Kumar Mandalasserbehälters notwendig, aus dem die Speisepumpe das Wasser zu entnehmen hat. Selbst in dem Fall einer primitiven Einrichtung, wo unmittelbar Brunnenwasser gespeist wird, läßt man die aus dem Brunnen saugende Pumpe nur als Zubringerpumpe arbeiten, obwohl auch unter einem das Speisen, z. B. mit eine
发表于 2025-3-26 01:53:30 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-26 07:16:30 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-26 10:00:13 | 显示全部楼层
Aniruddha Paul,Aritra Paul,Pramit Brata Chandaasserbehälters notwendig, aus dem die Speisepumpe das Wasser zu entnehmen hat. Selbst in dem Fall einer primitiven Einrichtung, wo unmittelbar Brunnenwasser gespeist wird, läßt man die aus dem Brunnen saugende Pumpe nur als Zubringerpumpe arbeiten, obwohl auch unter einem das Speisen, z. B. mit eine
发表于 2025-3-26 14:17:57 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-26 19:54:54 | 显示全部楼层
Implementation of L-Shaped Dielectric Double Metal Dual-Gate TFET Toward Improved Performance Charace TFET (LS-SS-DM-DG TFET: total L-shape comprised of SiO.). All the fundamental device parameters have been analyzed to demonstrate the tunneling phenomena in the L-shaped Dielectric gate-engineered TFET structure under various biasing conditions. All the simulations have been performed in 2D using
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