Titlebook: Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik; Laufzeitdioden, Gunn Andreas Schlachetzki Textbook 1984 Springer Fachmedien Wiesbaden 1984 B

出血

https://doi.org/10.1007/978-3-319-76186-2emessene Strom-Spannungskennlinie an einem pn-übergang in Si wieder. In Durchlaßrichtung fließen schon bei geringen Spannungen sehr erhebliche Ströme. Im gesperrten Zustand müssen demgegenüber beträchtliche Spannungen von um 120 V angelegt werden, ehe der Sperrstrombereich von etwa 1 μA und weniger durch den abrupten Durchbruch verlassen wird.

chondromalacia

迅速成长

ELUC

Oszillatoren, von Gesetzmäßigkeiten im Zusammenwirken von Resonator, Verbraucher und aktivem Bauelement sind unabhängig davon gültig, ob das aktive Element eine Impatt-Diode oder ein Gunn-Element ist. Wir wollen deshalb diese allgemeinen Beziehungen zuerst behandeln.

迅速成长

countenance

Mikrowellen-Feldeffekttransistoren,klungen, die Besonderheiten der Bandstruktur in Feldeffekttransistoren mit Heteroübergängen ausnutzen [IV.2]. Wir wollen die folgende Analyse auf GaAs-Schottky-FETs (MeS-FET) abstellen, obwohl die meisten Resultate auch auf FETs übertragbar sind, die pn-Übergänge zur Steuerung verwenden.

使苦恼

archaeology

osteocytes

Pharmacologic Interventions in Angina,se accounted for 54% of all deaths in this country. Coronary artery disease alone accounted for 35% of all deaths in that year, more than the total that resulted from all types of cancer (17%) plus stroke (11%) combined. Beginning in the mid-1950s and increasing after 1968, however, there has been a

Aura231