Titlebook: Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente; Horst Gad Book 1979 Springer Fachmedien Wiesbaden 1979 Einsa

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Modelle zur Beschreibung der Strom-Spannungs-Kennlinien von Feldeffekttransistoren im Anlaufgebiet,odell sowohl für den Sperrschicht- als auch für den MOS-Feldeffekt-transistor. Die Parameter dieses Modells sind ß und U., wobei die verschiedenen Typen durch Vorzeichen -dieser Parameter berücksichtigt werden können. Bei verfeinerten Modellen sind vor allem der Beweglichkeitsund der Substrateinfluß

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,Spezielle Schaltungen für den Einsatz des Feldeffekttransistors als quadratisches Element,rin, daß bei der Verwendung von Sperrschicht-Feldeffekttransistoren bei Kurzschlußbetrieb mindestens eine der- Gate-Dioden (Bild 6) in Flußrichtung betrieben wird, bzw.daß bei Beschaltung mit einem Widerstand (Bild 8; der Ausgangsstrom und dadurch auch die AusgangsSpannung nicht nur vom Quadrat der

Cardiac-Output

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Messungen am quadratischen Element mit CMOS-IC, Bulk-Source-Spannung, des Effektivwertes der Eingangswechselspannung und des Effektivwertes des Nutz-Spektralanteils der Ausgangsgröße experimentell ermittelt. Dargestellt werden der Kurzschlußbetrieb (R. = 0) und der Leerlaufbetrieb (R.→∞), wobei die Vorspannungseinstellung und der Symmetrieab— gl

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D. Koller,A. Hadas, und das Allgemeine Gleichbehandlungsgesetz, das einen umfassenden Schutz vor Diskriminierungen und Belästigungen im Arbeitsleben gewährleisten soll.   .978-3-540-79820-0Series ISSN 0937-7433 Series E-ISSN 2512-5214

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0302-9743 , ICCS 2001, held in San Francisco, California, May 27-31, 2001. The two volumes consist of more than 230 contributed and invited papers that reflect the aims of the conference to bring together researchers and scientists from mathematics and computer science as basic computing disciplines, research

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