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Titlebook: Silizium-Halbleitertechnologie; Ulrich Hilleringmann Textbook 20044th edition Springer Fachmedien Wiesbaden 2004 Chip.Chipherstellung.Elek

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发表于 2025-3-21 17:17:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
书目名称Silizium-Halbleitertechnologie
编辑Ulrich Hilleringmann
视频video
概述Umfassende Darstellung der Fertigungsverfahren bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltungen.
丛书名称Teubner Studienbücher Technik
图书封面Titlebook: Silizium-Halbleitertechnologie;  Ulrich Hilleringmann Textbook 20044th edition Springer Fachmedien Wiesbaden 2004 Chip.Chipherstellung.Elek
描述Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage Abbildungen und vor allem weitere Übungsaufgaben ergänzt. ."Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie präzise und doch stets verständlich darzustellen.".Elektronik, 11/2003.
出版日期Textbook 20044th edition
关键词Chip; Chipherstellung; Elektronik; Halbleiter; Halbleitertechnologie; Integration; Metall; Schaltung; Silizi
版次4
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-322-94072-8
isbn_ebook978-3-322-94072-8
copyrightSpringer Fachmedien Wiesbaden 2004
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书目名称Silizium-Halbleitertechnologie影响因子(影响力)




书目名称Silizium-Halbleitertechnologie影响因子(影响力)学科排名




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发表于 2025-3-21 22:59:30 | 显示全部楼层
tionstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reprod
发表于 2025-3-22 03:10:19 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 06:14:57 | 显示全部楼层
Depositionsverfahren, sich in chemische und physikalische Abscheidetechniken unterteilen. Sowohl einkristalline als auch polykristalline und amorphe Schichten können mit den verschiedenen Techniken auf die Silizium- bzw. die Scheibenoberfläche aufgebracht werden.
发表于 2025-3-22 08:53:03 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 14:00:01 | 显示全部楼层
Einleitung,s hin zu Speicherbausteinen mit einer Kapazität von 4 Gbit pro Chip — demonstriert die Leistungsfähigkeit der Halbleitertechnologie in eindrucksvoller Weise. Strukturgrößen von 90 nm Weite, die noch vor wenigen Jahren mit optischer Lithografietechnik als unerreichbar galten, werden zurzeit in der Pr
发表于 2025-3-22 20:35:56 | 显示全部楼层
Herstellung von Siliziumscheiben,eicherchips und Logikschaltungen sowie die anwendungsspezifischen Schaltkreise (ASIC) werden nahezu ausschließlich im Siliziumsubstrat hergestellt. Auch Leistungshalbleiter wie Thyristoren und ein großer Teil der Einzeltransistoren bzw. Dioden nutzen dieses Element.
发表于 2025-3-22 22:56:38 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-23 01:49:38 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-23 06:30:36 | 显示全部楼层
,Ätztechnik,n jeweiligen Metallsiliziden geätzt. Die Ätztechnik dient dabei zum ganzflächigen Abtragen eines Materials oder zum Übertragen der Struktur des lithografisch erzeugten Lackmusters in die darunter liegende Schicht. Für diese Aufgabe bieten sich einerseits nasschemische Ätzlösungen an, zum anderen eig
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