| 书目名称 | Silicon-on-Insulator Technology |
| 副标题 | Materials to VLSI |
| 编辑 | Jean-Pierre Colinge |
| 视频video | |
| 丛书名称 | The Springer International Series in Engineering and Computer Science |
| 图书封面 |  |
| 描述 | 5. 2. Distinction between thick- and thin-film devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109 5. 3. I-V Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112 5. 3. 1. Threshold voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 2 5. 3 . 2. Body effecL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1 8 5. 3. 3. Short-channel effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 5. 3. 4. Output characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 24 5. 4. Transconductance and mobility . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129 5. 4. 1 Transconductance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
| 出版日期 | Book 1991 |
| 关键词 | CMOS; JFET; Leistungsfeldeffekttransistor; MOSFET; Photodiode; VLSI; field-effect transistor; high voltage; |
| 版次 | 1 |
| doi | https://doi.org/10.1007/978-1-4757-2121-8 |
| isbn_softcover | 978-1-4757-2123-2 |
| isbn_ebook | 978-1-4757-2121-8Series ISSN 0893-3405 |
| issn_series | 0893-3405 |
| copyright | Springer Science+Business Media New York 1991 |
发表于 2025-3-21 17:49:18
