Titlebook: Rauschen; Rudolf Müller Textbook 19791st edition Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1979 Bauelemente.Dioden.Feldeffekt.Feldeffekttransistor

APNEA

Einleitung,von statistischen Schwankungen ist. Diese Schwankungen nennt man allgemein Rauschen, obwohl nur ein akustisches Anzeigegerät (z. B. ein Lautsprecher) tatsächlich das Rauschen hören läßt. Eine der Ursachen für diese statistischen Schwankungen ist beispielsweise die thermische Bewegung von Ladungsträg

乞讨

Biomarker

Beschreibung des Rauschens im Frequenzbereich,hes ein Maß für die gesamte im Rauschvorgang vorhandene Leistung ist, definiert man hier eine sog. spektrale Leistungsdichte .(.), also die „Leistung“ im Frequenzband der Breite 1 Hz bei der Frequenz ..

SKIFF

inundate

EWE

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,Übertragung von Rauschen über elektrische Netzwerke,rkt und ggf. in andere Frequenzbereiche umgesetzt wird. Das gleiche Schicksal erleidet Rauschen, welches am Eingang (z. B. an den Antennenbuchsen) angeboten wird. Zusätzlich entsteht in diesen Netzwerken Rauschen. Sofern es sich um passive Netzwerke handelt (Widerstände, Kondensatoren, Spulen usw.,

几何学家

cortisol

Dioden,ekennzeichnet, links ist angegeben, ob dieser Stromanteil bei Sperr- oder bei Flußpolung überwiegt. Die obersten vier Strompfeile kennzeichnen die in normalen .-Dioden maßgebenden Stromflußmechanismen. Bei Sperrpolung fließt praktisch nur der Driftstrom (Komponenten 2 und 4), bei Flußpolung überwieg

慢慢冲刷

Bipolare Transistoren,chen wie in .-Dioden, d. h. Schrotrauschen ist der dominierende Effekt; die Verlustwiderstände rauschen thermisch. Bei tiefen Frequenzen kann das Generations-Rekombinations-Rauschen zu einem 1/.-Rauschen führen. Als erstes wird daher das Schrotrauschen behandelt.