Titlebook: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen; Simulation mit PSPIC Peter Baumann Textbook 20121st edition Vieweg+Teubner Verlag | Springe

显示全部楼层 · 发表于 2025-3-21 16:36:02

书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen影响因子(影响力)

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书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen网络公开度

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书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen被引频次

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书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen年度引用

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书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen读者反馈

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显示全部楼层 · 发表于 2025-3-21 23:48:03

Bipolartransistoren,Das Großsignalmodell des Bipolartransistors nach Bild 2.1 enthält als Komponenten:

显示全部楼层 · 发表于 2025-3-22 00:41:46

Sperrschicht-Feldeffekttransistoren,Das dynamische Großsignalmodell des N-Kanal-Sperrschicht-FET (NJFET) umfasst:

显示全部楼层 · 发表于 2025-3-22 06:16:38

MOS-Feldeffekttransistoren,Ähnlich wie bei den Sperrschichtfeldeffekttransistoren unterscheidet man bei den MOSFET zwei Kennlinienbereiche.

显示全部楼层 · 发表于 2025-3-22 11:51:31

显示全部楼层 · 发表于 2025-3-22 13:11:49

,Operationsverstärker,Der Operationsverstärker ist ein mehrstufiger, gleichspannungsgekoppelter, integrierter Breitbandverstärker mit dem nichtinvertierenden P-Eingang, dem invertierenden N-Eingang und dem Ausgang A, siehe Bild 6.1. Die Differenzspannung .. wird bei offenem Ausgang mit der Leerlaufspannungsverstärkung .. verstärkt.

显示全部楼层 · 发表于 2025-3-22 20:29:57

Optokoppler,Das Bild 7.1 zeigt die Prinzipschaltung des zu untersuchenden Optokopplers vom Typ A4N 25 mit den Komponenten:

显示全部楼层 · 发表于 2025-3-22 22:12:08

显示全部楼层 · 发表于 2025-3-23 01:29:56

显示全部楼层 · 发表于 2025-3-23 08:49:14

https://doi.org/10.1007/978-3-8348-2495-0Bipolartransistor; Feldeffekttransistor; Halbleiterdiode; OrCAD-PSPICE; SPICE-Modellparameter; Sperrschic

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